微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2007年
1期
132-135
,共4页
骞海荣%邹雪城%陈卫洁%涂熙
鶱海榮%鄒雪城%陳衛潔%塗熙
건해영%추설성%진위길%도희
双环路LDO稳压器%直流增益%单位增益带宽%负载调整%线性调整
雙環路LDO穩壓器%直流增益%單位增益帶寬%負載調整%線性調整
쌍배로LDO은압기%직류증익%단위증익대관%부재조정%선성조정
通过对传统单环LDO的频域分析,提出一种快速瞬态响应的双环路LDO稳压器结构,在保证单位增益带宽不变的前提下提高直流增益,进而提高LDO电路的瞬态性能.设计采用0.6 μm BiCMOS高压工艺,Hspice仿真中输出电容为2.2 μF,ESR为0.5 Ω,旁路电容为1.0 μF.负载电流从20 mA到180 mA变化时,其负载调整率仅为0.6%.
通過對傳統單環LDO的頻域分析,提齣一種快速瞬態響應的雙環路LDO穩壓器結構,在保證單位增益帶寬不變的前提下提高直流增益,進而提高LDO電路的瞬態性能.設計採用0.6 μm BiCMOS高壓工藝,Hspice倣真中輸齣電容為2.2 μF,ESR為0.5 Ω,徬路電容為1.0 μF.負載電流從20 mA到180 mA變化時,其負載調整率僅為0.6%.
통과대전통단배LDO적빈역분석,제출일충쾌속순태향응적쌍배로LDO은압기결구,재보증단위증익대관불변적전제하제고직류증익,진이제고LDO전로적순태성능.설계채용0.6 μm BiCMOS고압공예,Hspice방진중수출전용위2.2 μF,ESR위0.5 Ω,방로전용위1.0 μF.부재전류종20 mA도180 mA변화시,기부재조정솔부위0.6%.
