真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2008年
2期
143-147
,共5页
沈伟东%吴亚明%章岳光%刘旭%顾培夫
瀋偉東%吳亞明%章嶽光%劉旭%顧培伕
침위동%오아명%장악광%류욱%고배부
微机电系统%阳极键合%玻璃薄膜%电子束蒸发%键合强度
微機電繫統%暘極鍵閤%玻璃薄膜%電子束蒸髮%鍵閤彊度
미궤전계통%양겁건합%파리박막%전자속증발%건합강도
介绍了一种用电子束蒸发Schott 8329玻璃薄膜作为中间层,实现硅-硅以及硅-SOI阳极键合的方法.调整蒸发时的工艺并且450℃退火,沉积了粗糙度9.62 nm、初始应力139 MPa、喷点较少的薄膜,从而获得了＞95%的键合面积.键合电压20 V,温度300℃～500℃下硅-硅的键合强度可达1.47 J/m2,同时分析了键合电流特性.400℃,40V下键合了Si和SIMOX SOI硅片,用TMAH溶液进行基底减薄,获得了厚介质层薄顶层硅结构,这为一些MEMS器件的制作奠定了基础.
介紹瞭一種用電子束蒸髮Schott 8329玻璃薄膜作為中間層,實現硅-硅以及硅-SOI暘極鍵閤的方法.調整蒸髮時的工藝併且450℃退火,沉積瞭粗糙度9.62 nm、初始應力139 MPa、噴點較少的薄膜,從而穫得瞭＞95%的鍵閤麵積.鍵閤電壓20 V,溫度300℃～500℃下硅-硅的鍵閤彊度可達1.47 J/m2,同時分析瞭鍵閤電流特性.400℃,40V下鍵閤瞭Si和SIMOX SOI硅片,用TMAH溶液進行基底減薄,穫得瞭厚介質層薄頂層硅結構,這為一些MEMS器件的製作奠定瞭基礎.
개소료일충용전자속증발Schott 8329파리박막작위중간층,실현규-규이급규-SOI양겁건합적방법.조정증발시적공예병차450℃퇴화,침적료조조도9.62 nm、초시응력139 MPa、분점교소적박막,종이획득료＞95%적건합면적.건합전압20 V,온도300℃～500℃하규-규적건합강도가체1.47 J/m2,동시분석료건합전류특성.400℃,40V하건합료Si화SIMOX SOI규편,용TMAH용액진행기저감박,획득료후개질층박정층규결구,저위일사MEMS기건적제작전정료기출.
