固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2009年
3期
417-422,454
,共7页
王睿%顾今龙%盛云%秦亚杰%洪志良
王睿%顧今龍%盛雲%秦亞傑%洪誌良
왕예%고금룡%성운%진아걸%홍지량
流水线模数转换器%数字工艺%金属叉指电容%对称自举开关%体切换开关
流水線模數轉換器%數字工藝%金屬扠指電容%對稱自舉開關%體切換開關
류수선모수전환기%수자공예%금속차지전용%대칭자거개관%체절환개관
介绍了采用0.18 μm数字工艺制造、工作在3.3 V下、10位100 MS/s转换速率的流水线模数转换器.提出了一种适用于1.5位MDAC的新的金属电容结构,并且使用了高带宽低功耗运算放大器、对称自举开关和体切换的PMOS开关来提高电路性能.芯片已经通过流片验证,版图面积为1.35 mm×0.99 mm,功耗为175 mW.14.7MS/s转换速率下测得的DNL和INL分别为0.2 LSB和0.45 LSB,100 MS/s转换速率下测得的DNL和INL分别为1 LSB和2.7 LSB,SINAD为49.4 dB,SFDR为66.8 dB.
介紹瞭採用0.18 μm數字工藝製造、工作在3.3 V下、10位100 MS/s轉換速率的流水線模數轉換器.提齣瞭一種適用于1.5位MDAC的新的金屬電容結構,併且使用瞭高帶寬低功耗運算放大器、對稱自舉開關和體切換的PMOS開關來提高電路性能.芯片已經通過流片驗證,版圖麵積為1.35 mm×0.99 mm,功耗為175 mW.14.7MS/s轉換速率下測得的DNL和INL分彆為0.2 LSB和0.45 LSB,100 MS/s轉換速率下測得的DNL和INL分彆為1 LSB和2.7 LSB,SINAD為49.4 dB,SFDR為66.8 dB.
개소료채용0.18 μm수자공예제조、공작재3.3 V하、10위100 MS/s전환속솔적류수선모수전환기.제출료일충괄용우1.5위MDAC적신적금속전용결구,병차사용료고대관저공모운산방대기、대칭자거개관화체절환적PMOS개관래제고전로성능.심편이경통과류편험증,판도면적위1.35 mm×0.99 mm,공모위175 mW.14.7MS/s전환속솔하측득적DNL화INL분별위0.2 LSB화0.45 LSB,100 MS/s전환속솔하측득적DNL화INL분별위1 LSB화2.7 LSB,SINAD위49.4 dB,SFDR위66.8 dB.
