CAJ | 학술논문

万方数据

固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2003年 4期 484-488 ,共5页

王晓亮%胡国新%王军喜%刘宏新%孙殿照%曾一平%李晋闽%孔梅影%林兰英%刘新宇%刘键%钱鹤

왕효량%호국신%왕군희%류굉신%손전조%증일평%리진민%공매영%림란영%류신우%류건%전학

高电子迁移率晶体管%氮化镓%功率器件%场效应晶体管%分子束外延高電子遷移率晶體管%氮化鎵%功率器件%場效應晶體管%分子束外延
고전자천이솔정체관%담화가%공솔기건%장효응정체관%분자속외연

用分子束外延(MBE)技术研制出了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,其室温迁移率为1 035 cm2/Vs、二维电子气浓度为1.0×1013 cm-2;77 K迁移率为2 653 cm2/V*s、二维电子气浓度为9.6×1012 cm-2.用此材料研制了栅长为1 μm、栅宽为80 μm、源-漏间距为4 μm的AlGaN/GaN HEMT,其室温最大非本征跨导为186 mS/mm、最大漏极饱和电流密度为925 mA/mm、特征频率为18.8 GHz.另外,还研制了具有20个栅指(总栅宽为20×80 μm＝1.6 mm)的大尺寸器件,该器件的最大漏极饱和电流为1.33 A.
용분자속외연(MBE)기술연제출료AlGaN/GaN고전자천이솔정체관(HEMT)재료,기실온천이솔위1 035 cm2/Vs、이유전자기농도위1.0×1013 cm-2;77 K천이솔위2 653 cm2/V*s、이유전자기농도위9.6×1012 cm-2.용차재료연제료책장위1 μm、책관위80 μm、원-루간거위4 μm적AlGaN/GaN HEMT,기실온최대비본정과도위186 mS/mm、최대루겁포화전류밀도위925 mA/mm、특정빈솔위18.8 GHz.령외,환연제료구유20개책지(총책관위20×80 μm＝1.6 mm)적대척촌기건,해기건적최대루겁포화전류위1.33 A.