电子产品可靠性与环境试验
電子產品可靠性與環境試驗
전자산품가고성여배경시험
ELECTRONIC PRODUCT RELIABILITY AND ENVIRONMENTAL TESTING
2008年
3期
16-19
,共4页
单粒子翻转%电荷收集%准三维模拟
單粒子翻轉%電荷收集%準三維模擬
단입자번전%전하수집%준삼유모의
主要针对小尺寸MOSFET SEU的准三维模拟进行了研究,讨论了有关器件尺寸缩小等因素发生变化时,器件对SEU敏感性的变化情况.模拟结果表明,随着器件尺寸的缩小,衬底浓度的增大,器件对SEU的敏感性增加.
主要針對小呎吋MOSFET SEU的準三維模擬進行瞭研究,討論瞭有關器件呎吋縮小等因素髮生變化時,器件對SEU敏感性的變化情況.模擬結果錶明,隨著器件呎吋的縮小,襯底濃度的增大,器件對SEU的敏感性增加.
주요침대소척촌MOSFET SEU적준삼유모의진행료연구,토론료유관기건척촌축소등인소발생변화시,기건대SEU민감성적변화정황.모의결과표명,수착기건척촌적축소,츤저농도적증대,기건대SEU적민감성증가.
