池州学院学报
池州學院學報
지주학원학보
JOURNAL OF CHIZHOU COLLEGE
2008年
3期
39-43
,共5页
高温超导体%正电子湮没%微观缺陷%变温过程%热膨冷缩效应
高溫超導體%正電子湮沒%微觀缺陷%變溫過程%熱膨冷縮效應
고온초도체%정전자인몰%미관결함%변온과정%열팽랭축효응
通过分析掺Zn和掺Ga的B1系超导体在降温(温度从295K-30K)过程中的正电子寿命谱,结果表明:超导体在降温的过程中,由于热膨冷缩效应使得基体和缺陷处的电子密度整体性升高.但在超导临界温度转变点TC附近.由于发生了正常态到超导态的转变.这种转变明显改变了高温超导体的电子态.随着温度的降低,当超导体的温度接近TC时,超导体中的自由电子形成库柏对,使得基体以及缺陷处的自由电子密度降低,τ1,τ2和τm值升高.在转变温度点Tc,τ1,τ2和Tm出现一个峰值,而自由电子密度nb出现了极小值.
通過分析摻Zn和摻Ga的B1繫超導體在降溫(溫度從295K-30K)過程中的正電子壽命譜,結果錶明:超導體在降溫的過程中,由于熱膨冷縮效應使得基體和缺陷處的電子密度整體性升高.但在超導臨界溫度轉變點TC附近.由于髮生瞭正常態到超導態的轉變.這種轉變明顯改變瞭高溫超導體的電子態.隨著溫度的降低,噹超導體的溫度接近TC時,超導體中的自由電子形成庫柏對,使得基體以及缺陷處的自由電子密度降低,τ1,τ2和τm值升高.在轉變溫度點Tc,τ1,τ2和Tm齣現一箇峰值,而自由電子密度nb齣現瞭極小值.
통과분석참Zn화참Ga적B1계초도체재강온(온도종295K-30K)과정중적정전자수명보,결과표명:초도체재강온적과정중,유우열팽랭축효응사득기체화결함처적전자밀도정체성승고.단재초도림계온도전변점TC부근.유우발생료정상태도초도태적전변.저충전변명현개변료고온초도체적전자태.수착온도적강저,당초도체적온도접근TC시,초도체중적자유전자형성고백대,사득기체이급결함처적자유전자밀도강저,τ1,τ2화τm치승고.재전변온도점Tc,τ1,τ2화Tm출현일개봉치,이자유전자밀도nb출현료겁소치.
