激光与光电子学进展
激光與光電子學進展
격광여광전자학진전
LASER & OPTOELECTRONICS PROGRESS
2009年
8期
67-70
,共4页
探测器%量子级联探测器%半导体材料%新型结构
探測器%量子級聯探測器%半導體材料%新型結構
탐측기%양자급련탐측기%반도체재료%신형결구
综述了基于三大化合物半导体材料(GaAs基、InP基与GaN基)的量子级联探测器(QCD)的进展,对这三种材料体系的QCD的各种技术指标如光电流响应度、电阻、电流-电压特性等做了详细的说明,最后对其他半导体材料及新型结构的QCD做了展望.
綜述瞭基于三大化閤物半導體材料(GaAs基、InP基與GaN基)的量子級聯探測器(QCD)的進展,對這三種材料體繫的QCD的各種技術指標如光電流響應度、電阻、電流-電壓特性等做瞭詳細的說明,最後對其他半導體材料及新型結構的QCD做瞭展望.
종술료기우삼대화합물반도체재료(GaAs기、InP기여GaN기)적양자급련탐측기(QCD)적진전,대저삼충재료체계적QCD적각충기술지표여광전류향응도、전조、전류-전압특성등주료상세적설명,최후대기타반도체재료급신형결구적QCD주료전망.
