半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
6期
527-530
,共4页
郑倩%刘正堂%李阳平%张淼%车兴森
鄭倩%劉正堂%李暘平%張淼%車興森
정천%류정당%리양평%장묘%차흥삼
反应离子刻蚀%亚波长结构%挥发性产物%钝化膜%各向异性
反應離子刻蝕%亞波長結構%揮髮性產物%鈍化膜%各嚮異性
반응리자각식%아파장결구%휘발성산물%둔화막%각향이성
利用反应离子刻蚀(RIE)技术在Ge衬底上制备宽波段亚波长结构,研究了不同SF6/O2比例条件下在不同刻蚀时间、压强和射频功率对结构形貌及刻蚀深度的影响,并用SEM对刻蚀图形的表面形貌进行了观察.结果表明,SF6易与衬底发生反应,生成挥发性产物,加速了刻蚀速度.O2的加入生成的钝化膜会增强各向异性刻蚀,减慢了刻蚀速度,对衬底有刻蚀保护作用.增加压强可以增大刻蚀深度,但增加射频功率,刻蚀深度先是增加,达到一定值后下降.选择合适的工艺参数可以获得较为理想的金字塔形结构.
利用反應離子刻蝕(RIE)技術在Ge襯底上製備寬波段亞波長結構,研究瞭不同SF6/O2比例條件下在不同刻蝕時間、壓彊和射頻功率對結構形貌及刻蝕深度的影響,併用SEM對刻蝕圖形的錶麵形貌進行瞭觀察.結果錶明,SF6易與襯底髮生反應,生成揮髮性產物,加速瞭刻蝕速度.O2的加入生成的鈍化膜會增彊各嚮異性刻蝕,減慢瞭刻蝕速度,對襯底有刻蝕保護作用.增加壓彊可以增大刻蝕深度,但增加射頻功率,刻蝕深度先是增加,達到一定值後下降.選擇閤適的工藝參數可以穫得較為理想的金字塔形結構.
이용반응리자각식(RIE)기술재Ge츤저상제비관파단아파장결구,연구료불동SF6/O2비례조건하재불동각식시간、압강화사빈공솔대결구형모급각식심도적영향,병용SEM대각식도형적표면형모진행료관찰.결과표명,SF6역여츤저발생반응,생성휘발성산물,가속료각식속도.O2적가입생성적둔화막회증강각향이성각식,감만료각식속도,대츤저유각식보호작용.증가압강가이증대각식심도,단증가사빈공솔,각식심도선시증가,체도일정치후하강.선택합괄적공예삼수가이획득교위이상적금자탑형결구.
