信息记录材料
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신식기록재료
INFORMATION RECORDING MATERIALS
2010年
3期
52-55
,共4页
陈小松%尹玉丽%张昌印%吴绍彬%杨磊%黄致新
陳小鬆%尹玉麗%張昌印%吳紹彬%楊磊%黃緻新
진소송%윤옥려%장창인%오소빈%양뢰%황치신
Cu3N薄膜%Ni掺杂%电学性能%光学能隙
Cu3N薄膜%Ni摻雜%電學性能%光學能隙
Cu3N박막%Ni참잡%전학성능%광학능극
采用射频反应磁控溅射方法在玻璃基底上制备了Ni掺杂Cu3N薄膜,并研究了Ni掺杂对Cu3N的结构、电学性能和光学性能的影响.研究发现:Ni的加入使得Cu3N薄膜的(111)晶面向小角度偏移;随着Ni含量的增加,Cu3N薄膜的电阻率从1450×10-6 Ω·cm 减小到184×10-6 Ω·cm,光学能隙从1.09eV 增加到1.52eV.
採用射頻反應磁控濺射方法在玻璃基底上製備瞭Ni摻雜Cu3N薄膜,併研究瞭Ni摻雜對Cu3N的結構、電學性能和光學性能的影響.研究髮現:Ni的加入使得Cu3N薄膜的(111)晶麵嚮小角度偏移;隨著Ni含量的增加,Cu3N薄膜的電阻率從1450×10-6 Ω·cm 減小到184×10-6 Ω·cm,光學能隙從1.09eV 增加到1.52eV.
채용사빈반응자공천사방법재파리기저상제비료Ni참잡Cu3N박막,병연구료Ni참잡대Cu3N적결구、전학성능화광학성능적영향.연구발현:Ni적가입사득Cu3N박막적(111)정면향소각도편이;수착Ni함량적증가,Cu3N박막적전조솔종1450×10-6 Ω·cm 감소도184×10-6 Ω·cm,광학능극종1.09eV 증가도1.52eV.
