功能材料
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공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2011年
3期
524-527
,共4页
于威%卢海江%路万兵%孟令海%王新占%韩理%傅广生
于威%盧海江%路萬兵%孟令海%王新佔%韓理%傅廣生
우위%로해강%로만병%맹령해%왕신점%한리%부엄생
纳米晶硅薄膜%电感耦合等离子体%晶态比%氢稀释比
納米晶硅薄膜%電感耦閤等離子體%晶態比%氫稀釋比
납미정규박막%전감우합등리자체%정태비%경희석비
采用电感耦合等离子体化学气相沉积技术制备了氮化纳米硅薄膜,利用Raman散射、x射线衍射、红外吸收等技术对不同氮稀释条件下薄膜的微观结构和键合特性变化进行了研究.结果表明,较高的氢稀释比导致薄膜从非晶硅到纳米晶硅的结构转化,随着氮稀释比的增加,所沉积薄膜的晶化度及纳米晶硅的晶粒尺寸单调增加,纳米硅颗粒呈现在(110)方向的择优生长趋势.键合特性分析显示,随氢稀释比增加,薄膜中整体健合氮含量减小,而SiH2 健合比例呈现显著增加趋势,该结果反映了氮原子刻蚀和纳米硅界面面积比的同时增强.光学吸收谱分析表明,通过改变反应气体的氢稀释比,可实现从1.72^-1.84eV光学带隙可调的纳米硅薄膜制备.
採用電感耦閤等離子體化學氣相沉積技術製備瞭氮化納米硅薄膜,利用Raman散射、x射線衍射、紅外吸收等技術對不同氮稀釋條件下薄膜的微觀結構和鍵閤特性變化進行瞭研究.結果錶明,較高的氫稀釋比導緻薄膜從非晶硅到納米晶硅的結構轉化,隨著氮稀釋比的增加,所沉積薄膜的晶化度及納米晶硅的晶粒呎吋單調增加,納米硅顆粒呈現在(110)方嚮的擇優生長趨勢.鍵閤特性分析顯示,隨氫稀釋比增加,薄膜中整體健閤氮含量減小,而SiH2 健閤比例呈現顯著增加趨勢,該結果反映瞭氮原子刻蝕和納米硅界麵麵積比的同時增彊.光學吸收譜分析錶明,通過改變反應氣體的氫稀釋比,可實現從1.72^-1.84eV光學帶隙可調的納米硅薄膜製備.
채용전감우합등리자체화학기상침적기술제비료담화납미규박막,이용Raman산사、x사선연사、홍외흡수등기술대불동담희석조건하박막적미관결구화건합특성변화진행료연구.결과표명,교고적경희석비도치박막종비정규도납미정규적결구전화,수착담희석비적증가,소침적박막적정화도급납미정규적정립척촌단조증가,납미규과립정현재(110)방향적택우생장추세.건합특성분석현시,수경희석비증가,박막중정체건합담함량감소,이SiH2 건합비례정현현저증가추세,해결과반영료담원자각식화납미규계면면적비적동시증강.광학흡수보분석표명,통과개변반응기체적경희석비,가실현종1.72^-1.84eV광학대극가조적납미규박막제비.
