信息与电子工程
信息與電子工程
신식여전자공정
INFORMATION AND ELECTRONIC ENGINEERING
2012年
3期
359-362
,共4页
带隙电压%温度系数%BiCMOS工艺%电源抑制比
帶隙電壓%溫度繫數%BiCMOS工藝%電源抑製比
대극전압%온도계수%BiCMOS공예%전원억제비
介绍了一种BiCMOS工艺制作的高电源抑制比和高精确度的带隙基准电压源,其输出电压为1.2V,在-40 ℃～80℃范围内有较好的温度特性,温度漂移系数为9.8×10-6℃-1.采用电压负反馈原理和减少耦合电容的方法,使电路具有高的电源抑制比,并且电路结构简单,匹配性好.采用Hspice工具对电路进行了仿真,验证了设计的正确性.该电路能广泛用于在电源环境恶劣的场合下工作的集成电路中.
介紹瞭一種BiCMOS工藝製作的高電源抑製比和高精確度的帶隙基準電壓源,其輸齣電壓為1.2V,在-40 ℃～80℃範圍內有較好的溫度特性,溫度漂移繫數為9.8×10-6℃-1.採用電壓負反饋原理和減少耦閤電容的方法,使電路具有高的電源抑製比,併且電路結構簡單,匹配性好.採用Hspice工具對電路進行瞭倣真,驗證瞭設計的正確性.該電路能廣汎用于在電源環境噁劣的場閤下工作的集成電路中.
개소료일충BiCMOS공예제작적고전원억제비화고정학도적대극기준전압원,기수출전압위1.2V,재-40 ℃～80℃범위내유교호적온도특성,온도표이계수위9.8×10-6℃-1.채용전압부반궤원리화감소우합전용적방법,사전로구유고적전원억제비,병차전로결구간단,필배성호.채용Hspice공구대전로진행료방진,험증료설계적정학성.해전로능엄범용우재전원배경악렬적장합하공작적집성전로중.
