稀有金属
稀有金屬
희유금속
CHINESE JOURNAL OF RARE METALS
2004年
3期
574-576
,共3页
张雄%李爱珍%张永刚%郑燕兰%徐刚毅%齐鸣
張雄%李愛珍%張永剛%鄭燕蘭%徐剛毅%齊鳴
장웅%리애진%장영강%정연란%서강의%제명
半导体激光器%分子束外延
半導體激光器%分子束外延
반도체격광기%분자속외연
报道了可在室温下脉冲工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2 μm 多量子阱脊波导半导体激光器.器件材料生长采用固态源分子束外延的方法,器件有源层采用应变补偿量子阱结构,激光器结构中引入了加宽波导的设计.制备的多量子阱激光器最高工作温度可达60 ℃,激射波长2.08 μm.室温下阈值电流为350 mA,20～50 ℃范围内特征温度为88 K.
報道瞭可在室溫下脈遲工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2 μm 多量子阱脊波導半導體激光器.器件材料生長採用固態源分子束外延的方法,器件有源層採用應變補償量子阱結構,激光器結構中引入瞭加寬波導的設計.製備的多量子阱激光器最高工作溫度可達60 ℃,激射波長2.08 μm.室溫下閾值電流為350 mA,20～50 ℃範圍內特徵溫度為88 K.
보도료가재실온하맥충공작적AlGaAsSb/InGaAsSb 2 μm 다양자정척파도반도체격광기.기건재료생장채용고태원분자속외연적방법,기건유원층채용응변보상양자정결구,격광기결구중인입료가관파도적설계.제비적다양자정격광기최고공작온도가체60 ℃,격사파장2.08 μm.실온하역치전류위350 mA,20～50 ℃범위내특정온도위88 K.
