半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2004年
5期
89-92
,共4页
IGCT%开关器件%变频器
IGCT%開關器件%變頻器
IGCT%개관기건%변빈기
IGCT是一种在大功率开关器件GTO基础上改进而成的新型电力电子器件.和GTO相比,IGCT的关断时间降低了30%,功耗降低40%.它是一种不需要吸收电路的开关器件,可以像晶闸管一样导通,像IGBT一样关断,并且具有很低的功率损耗.IGCT在使用时只需将它连接到一个20V的电源和一根光纤上就可以控制它的开通和关断.由于IGCT设计理想,使得IGCT的开通损耗可以忽略不计,再加上它的低导通损耗,使得它可以在以往大功率半导体器件所无法满足的高频率下运行.IGCT可望迅速取代GTO,成为高压变频器的首选器件.
IGCT是一種在大功率開關器件GTO基礎上改進而成的新型電力電子器件.和GTO相比,IGCT的關斷時間降低瞭30%,功耗降低40%.它是一種不需要吸收電路的開關器件,可以像晶閘管一樣導通,像IGBT一樣關斷,併且具有很低的功率損耗.IGCT在使用時隻需將它連接到一箇20V的電源和一根光纖上就可以控製它的開通和關斷.由于IGCT設計理想,使得IGCT的開通損耗可以忽略不計,再加上它的低導通損耗,使得它可以在以往大功率半導體器件所無法滿足的高頻率下運行.IGCT可望迅速取代GTO,成為高壓變頻器的首選器件.
IGCT시일충재대공솔개관기건GTO기출상개진이성적신형전력전자기건.화GTO상비,IGCT적관단시간강저료30%,공모강저40%.타시일충불수요흡수전로적개관기건,가이상정갑관일양도통,상IGBT일양관단,병차구유흔저적공솔손모.IGCT재사용시지수장타련접도일개20V적전원화일근광섬상취가이공제타적개통화관단.유우IGCT설계이상,사득IGCT적개통손모가이홀략불계,재가상타적저도통손모,사득타가이재이왕대공솔반도체기건소무법만족적고빈솔하운행.IGCT가망신속취대GTO,성위고압변빈기적수선기건.
