西北大学学报（自然科学版）
西北大學學報（自然科學版）
서북대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF NORTHWEST UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2004年
5期
541-544,548
,共5页
王平%杨银堂%崔占东%杨燕%付俊兴
王平%楊銀堂%崔佔東%楊燕%付俊興
왕평%양은당%최점동%양연%부준흥
2H-SiC%多粒子蒙特卡罗研究%迁移率%漂移速度%平均能量
2H-SiC%多粒子矇特卡囉研究%遷移率%漂移速度%平均能量
2H-SiC%다입자몽특잡라연구%천이솔%표이속도%평균능량
目的对2H-SiC体材料的电子输运特性进行研究.方法在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型和多粒子蒙特卡罗(Ensemble Monte Carlo,EMC)方法.结果计算表明:低场下,温度一定时,2H-SiC纵向电子迁移率比4H-SiC和6H-SiC都高,横向迁移率则较为接近.296 K时,由EMC方法得到的纵向电子饱和漂移速度为2.2×107 cm/s,横向电子饱和漂移速度为2.0×107 cm/s.当电场条件相同时,2H-SiC同4H-SiC以及6H-SiC中的纵向电子平均能量相差较大.在阶跃电场强度为1 000 kV/cm时,其横向瞬态速度峰值可达到3.2×107 cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级.结论可以被用来设计SiC 器件和电路.
目的對2H-SiC體材料的電子輸運特性進行研究.方法在最新能帶結構計算的基礎之上,採用非拋物性能帶模型和多粒子矇特卡囉(Ensemble Monte Carlo,EMC)方法.結果計算錶明:低場下,溫度一定時,2H-SiC縱嚮電子遷移率比4H-SiC和6H-SiC都高,橫嚮遷移率則較為接近.296 K時,由EMC方法得到的縱嚮電子飽和漂移速度為2.2×107 cm/s,橫嚮電子飽和漂移速度為2.0×107 cm/s.噹電場條件相同時,2H-SiC同4H-SiC以及6H-SiC中的縱嚮電子平均能量相差較大.在階躍電場彊度為1 000 kV/cm時,其橫嚮瞬態速度峰值可達到3.2×107 cm/s,反應時間僅為百分之幾皮秒量級.結論可以被用來設計SiC 器件和電路.
목적대2H-SiC체재료적전자수운특성진행연구.방법재최신능대결구계산적기출지상,채용비포물성능대모형화다입자몽특잡라(Ensemble Monte Carlo,EMC)방법.결과계산표명:저장하,온도일정시,2H-SiC종향전자천이솔비4H-SiC화6H-SiC도고,횡향천이솔칙교위접근.296 K시,유EMC방법득도적종향전자포화표이속도위2.2×107 cm/s,횡향전자포화표이속도위2.0×107 cm/s.당전장조건상동시,2H-SiC동4H-SiC이급6H-SiC중적종향전자평균능량상차교대.재계약전장강도위1 000 kV/cm시,기횡향순태속도봉치가체도3.2×107 cm/s,반응시간부위백분지궤피초량급.결론가이피용래설계SiC 기건화전로.
