量子电子学报
量子電子學報
양자전자학보
CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
2005年
2期
251-255
,共5页
杨克勤%陈厦平%杨伟锋%孔令民%蔡加法%林雪娇%吴正云
楊剋勤%陳廈平%楊偉鋒%孔令民%蔡加法%林雪嬌%吳正雲
양극근%진하평%양위봉%공령민%채가법%림설교%오정운
光电子学%4H-SiC%Schottky势垒高度%退火
光電子學%4H-SiC%Schottky勢壘高度%退火
광전자학%4H-SiC%Schottky세루고도%퇴화
采用磁控溅射的方法在4H-SiC样品上分别沉积四种金属薄膜(Ag,Cu,Ni,Cr)形成Schottky接触,研究了不同温度退火对Schottky势垒高度的影响.通过对样品的I-V测试结果的拟合,得到各金属/4H-SiC Schottky接触的势垒高度以及理想因子.在反向偏压100V下,样品的反向漏电流小于10-10A,说明样品的反向特性良好.样品经过不同温度的退火后,发现Cu、Ni与4H-SiC的势垒高度(SBH)随退火温度的升高而提高,超过某一温度,其整流特性变差;Ag、Cr的SBH在退火后降低.SBH与金属功函数呈线性关系(Cr金属除外),斜率为0.11.
採用磁控濺射的方法在4H-SiC樣品上分彆沉積四種金屬薄膜(Ag,Cu,Ni,Cr)形成Schottky接觸,研究瞭不同溫度退火對Schottky勢壘高度的影響.通過對樣品的I-V測試結果的擬閤,得到各金屬/4H-SiC Schottky接觸的勢壘高度以及理想因子.在反嚮偏壓100V下,樣品的反嚮漏電流小于10-10A,說明樣品的反嚮特性良好.樣品經過不同溫度的退火後,髮現Cu、Ni與4H-SiC的勢壘高度(SBH)隨退火溫度的升高而提高,超過某一溫度,其整流特性變差;Ag、Cr的SBH在退火後降低.SBH與金屬功函數呈線性關繫(Cr金屬除外),斜率為0.11.
채용자공천사적방법재4H-SiC양품상분별침적사충금속박막(Ag,Cu,Ni,Cr)형성Schottky접촉,연구료불동온도퇴화대Schottky세루고도적영향.통과대양품적I-V측시결과적의합,득도각금속/4H-SiC Schottky접촉적세루고도이급이상인자.재반향편압100V하,양품적반향루전류소우10-10A,설명양품적반향특성량호.양품경과불동온도적퇴화후,발현Cu、Ni여4H-SiC적세루고도(SBH)수퇴화온도적승고이제고,초과모일온도,기정류특성변차;Ag、Cr적SBH재퇴화후강저.SBH여금속공함수정선성관계(Cr금속제외),사솔위0.11.
