CAJ | 학술논문

本文利用高分辨电子显微术、电子能量损失谱和电子全息技术对Si基体上生长的SrTiO3(STO)和La0.9Sr0.1MnO3(LSMO)薄膜及其STO层和Si基体之间的界面结构进行了深入研究,结果表明在Si和STO层之间由于氧扩散会形成一层过渡的SiOx无序层,且随沉积条件不同界面原子无序层厚度稍有不同;选区电子衍射结果表明薄膜和基体之间的外延生长关系为[001]LSMO//[110]Si,[110]LSMO//[001]Si[001]STO//[001]Si,[010]STO//[110]Si;电子能量损失谱分析表明界面无序层中Si离子的氧化态处于Si2+和Si0之间;电子全息结果清晰地显示了基体与薄膜之间存在明显的相位和势垒变化,负电荷聚集在界面SiOx的无序层中.
본문이용고분변전자현미술、전자능량손실보화전자전식기술대Si기체상생장적SrTiO3(STO)화La0.9Sr0.1MnO3(LSMO)박막급기STO층화Si기체지간적계면결구진행료심입연구,결과표명재Si화STO층지간유우양확산회형성일층과도적SiOx무서층,차수침적조건불동계면원자무서층후도초유불동;선구전자연사결과표명박막화기체지간적외연생장관계위[001]LSMO//[110]Si,[110]LSMO//[001]Si[001]STO//[001]Si,[010]STO//[110]Si;전자능량손실보분석표명계면무서층중Si리자적양화태처우Si2+화Si0지간;전자전식결과청석지현시료기체여박막지간존재명현적상위화세루변화,부전하취집재계면SiOx적무서층중.