化学学报
化學學報
화학학보
ACTA CHIMICA SINICA
2006年
19期
1974-1980
,共7页
耿志远%贾宝丽%王永成%姚琨%方冉%张兴辉
耿誌遠%賈寶麗%王永成%姚琨%方冉%張興輝
경지원%가보려%왕영성%요곤%방염%장흥휘
密度泛函理论%锗烯%反极化效应
密度汎函理論%鍺烯%反極化效應
밀도범함이론%타희%반겁화효응
用密度泛函理论(DFT),在B3LYP/6-31+G(d,p)水平上研究了取代基对二取代锗烯R2Ge=CH2和R2C=GeH2[R=H,OH,NH2,SH,PH2,F,Cl,Br,(NHCH)2,CH3,(CH)2]的影响.研究发现π供电子取代基在碳上时更能引起分子结构在锗端的锥型化.碳原子上的π电子给予取代基的给电子效应越强,R2C的单-三态能量差越大,π电子的反极化效应就越强,使得化合物的结构在锗端发生的弯曲越明显,从而使得弯曲结构更稳定.和前人的计算相比,碳上的给电子取代基对GeH2结构影响大于它对SiH2的影响.
用密度汎函理論(DFT),在B3LYP/6-31+G(d,p)水平上研究瞭取代基對二取代鍺烯R2Ge=CH2和R2C=GeH2[R=H,OH,NH2,SH,PH2,F,Cl,Br,(NHCH)2,CH3,(CH)2]的影響.研究髮現π供電子取代基在碳上時更能引起分子結構在鍺耑的錐型化.碳原子上的π電子給予取代基的給電子效應越彊,R2C的單-三態能量差越大,π電子的反極化效應就越彊,使得化閤物的結構在鍺耑髮生的彎麯越明顯,從而使得彎麯結構更穩定.和前人的計算相比,碳上的給電子取代基對GeH2結構影響大于它對SiH2的影響.
용밀도범함이론(DFT),재B3LYP/6-31+G(d,p)수평상연구료취대기대이취대타희R2Ge=CH2화R2C=GeH2[R=H,OH,NH2,SH,PH2,F,Cl,Br,(NHCH)2,CH3,(CH)2]적영향.연구발현π공전자취대기재탄상시경능인기분자결구재타단적추형화.탄원자상적π전자급여취대기적급전자효응월강,R2C적단-삼태능량차월대,π전자적반겁화효응취월강,사득화합물적결구재타단발생적만곡월명현,종이사득만곡결구경은정.화전인적계산상비,탄상적급전자취대기대GeH2결구영향대우타대SiH2적영향.
