物理学报
物理學報
물이학보
2007年
3期
1353-1357
,共5页
欧阳晓平%李真富%霍裕昆%宋献才
歐暘曉平%李真富%霍裕昆%宋獻纔
구양효평%리진부%곽유곤%송헌재
大面积%电流型%半导体探测器
大麵積%電流型%半導體探測器
대면적%전류형%반도체탐측기
采用电阻率为10000-20000Ω·cm 的高阻单晶硅材料,研制成功灵敏区尺寸为φ60 mm,耗尽层厚度～1000 μm的大面积厚PIN半导体探测器.设计了该类探测器厚度测量专用的反冲质子测量系统,对探测器的时间响应、γ灵敏度、漏电流、γ/n分辨等物理参数进行了测量和分析,结果表明,这类探测器可满足低强度裂变n/γ混合场中脉冲γ强度测量的需要.
採用電阻率為10000-20000Ω·cm 的高阻單晶硅材料,研製成功靈敏區呎吋為φ60 mm,耗儘層厚度～1000 μm的大麵積厚PIN半導體探測器.設計瞭該類探測器厚度測量專用的反遲質子測量繫統,對探測器的時間響應、γ靈敏度、漏電流、γ/n分辨等物理參數進行瞭測量和分析,結果錶明,這類探測器可滿足低彊度裂變n/γ混閤場中脈遲γ彊度測量的需要.
채용전조솔위10000-20000Ω·cm 적고조단정규재료,연제성공령민구척촌위φ60 mm,모진층후도～1000 μm적대면적후PIN반도체탐측기.설계료해류탐측기후도측량전용적반충질자측량계통,대탐측기적시간향응、γ령민도、루전류、γ/n분변등물리삼수진행료측량화분석,결과표명,저류탐측기가만족저강도렬변n/γ혼합장중맥충γ강도측량적수요.
