射频PECVD法高压快速制备纳米晶硅薄膜
사빈PECVD법고압쾌속제비납미정규박막
Preparation of nanocrystalline silicon thin film at high pressure and fast rate by PECVD technique
  • 万方数据
    功能材料 공능재료
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
    2008年 5期 848-850 ,共3页

    陈城钊%邱胜桦%刘翠青%吴燕丹%李平%余楚迎%林璇英

    진성쇠%구성화%류취청%오연단%리평%여초영%림선영

    纳米晶硅薄膜%RF-PECVD%生长速率 納米晶硅薄膜%RF-PECVD%生長速率
    납미정규박막%RF-PECVD%생장속솔
    采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的工作气压(133～266Pa)下,以0.4nm/s速率制备出优质的氢化纳米晶硅薄膜.薄膜的晶化率约60%,平均晶粒尺寸约6.0nm,暗电导率为10-3～104/Ω·cm.红外吸收谱显示,薄膜中没有Si-O、Si-C、Si-N等杂质键,随晶化率的提高,Si-H键也逐渐消失.
    채용전통적사빈등리자체증강화학기상침적기술,재교고적공작기압(133～266Pa)하,이0.4nm/s속솔제비출우질적경화납미정규박막.박막적정화솔약60%,평균정립척촌약6.0nm,암전도솔위10-3～104/Ω·cm.홍외흡수보현시,박막중몰유Si-O、Si-C、Si-N등잡질건,수정화솔적제고,Si-H건야축점소실.
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