强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
2008年
5期
747-750
,共4页
卢洪伟%胡立群%江勇%林士耀
盧洪偉%鬍立群%江勇%林士耀
로홍위%호립군%강용%림사요
托卡马克低杂波%逃逸电子%硬X射线%轫致辐射
託卡馬剋低雜波%逃逸電子%硬X射線%軔緻輻射
탁잡마극저잡파%도일전자%경X사선%인치복사
HT-7托卡马克的逃逸电子诊断系统由CdTe,BGO,Na三种探测器组成,可以用来观测逃逸电子撞击托卡马克第一壁材料产生的硬X射线轫致辐射,它的能量响应范围是0.3～1.5 MeV.结合电子回旋辐射、中子等诊断手段,研究了HT-7超导托卡马克在低杂波电流驱动下的逃逸电子行为.实验结果显示:高功率低杂波的关断和低功率低杂波的投入都会增强逃逸电子的产生,但是如果低杂波可以将等离子体环电压降低到逃逸的阈值电场以下,低杂波的投入就可以抑制电子的逃逸.逃逸电子的产生还和低杂波功率有着密切的关系,可以通过控制低杂波的投入和关断的时刻以及改变低杂波功率来抑制逃逸电子的产生.
HT-7託卡馬剋的逃逸電子診斷繫統由CdTe,BGO,Na三種探測器組成,可以用來觀測逃逸電子撞擊託卡馬剋第一壁材料產生的硬X射線軔緻輻射,它的能量響應範圍是0.3～1.5 MeV.結閤電子迴鏇輻射、中子等診斷手段,研究瞭HT-7超導託卡馬剋在低雜波電流驅動下的逃逸電子行為.實驗結果顯示:高功率低雜波的關斷和低功率低雜波的投入都會增彊逃逸電子的產生,但是如果低雜波可以將等離子體環電壓降低到逃逸的閾值電場以下,低雜波的投入就可以抑製電子的逃逸.逃逸電子的產生還和低雜波功率有著密切的關繫,可以通過控製低雜波的投入和關斷的時刻以及改變低雜波功率來抑製逃逸電子的產生.
HT-7탁잡마극적도일전자진단계통유CdTe,BGO,Na삼충탐측기조성,가이용래관측도일전자당격탁잡마극제일벽재료산생적경X사선인치복사,타적능량향응범위시0.3～1.5 MeV.결합전자회선복사、중자등진단수단,연구료HT-7초도탁잡마극재저잡파전류구동하적도일전자행위.실험결과현시:고공솔저잡파적관단화저공솔저잡파적투입도회증강도일전자적산생,단시여과저잡파가이장등리자체배전압강저도도일적역치전장이하,저잡파적투입취가이억제전자적도일.도일전자적산생환화저잡파공솔유착밀절적관계,가이통과공제저잡파적투입화관단적시각이급개변저잡파공솔래억제도일전자적산생.
