半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
8期
1589-1594
,共6页
孙立宁%王家畴%荣伟彬%李欣昕
孫立寧%王傢疇%榮偉彬%李訢昕
손립저%왕가주%영위빈%리흔흔
微机电系统%侧壁压阻%定位平台%反应离子刻蚀%位移传感器
微機電繫統%側壁壓阻%定位平檯%反應離子刻蝕%位移傳感器
미궤전계통%측벽압조%정위평태%반응리자각식%위이전감기
为了提高面内运动位移检测的灵敏度和改善侧壁压阻工艺与其他工艺间的兼容性问题,研究了一种可用于面内运动位移检测的传感器,提出了利用离子注入工艺和深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺相结合制作榆测梁侧壁压阻的方法.侧壁压阻式位移传感器的灵敏度比在检测梁表面制作压阻的传统位移传感器高近一倍.同时把位移传感器集成到基于体硅工艺的纳米级定位平台上,实验测试表明.这种位移传感器加工技术可以很容易地与其他工艺相兼容,位移传感器的灵敏度优于0.903mV/μm,线形度优于O.814%,分辨率优于12.3nm.
為瞭提高麵內運動位移檢測的靈敏度和改善側壁壓阻工藝與其他工藝間的兼容性問題,研究瞭一種可用于麵內運動位移檢測的傳感器,提齣瞭利用離子註入工藝和深度反應離子刻蝕(DRIE)工藝相結閤製作榆測樑側壁壓阻的方法.側壁壓阻式位移傳感器的靈敏度比在檢測樑錶麵製作壓阻的傳統位移傳感器高近一倍.同時把位移傳感器集成到基于體硅工藝的納米級定位平檯上,實驗測試錶明.這種位移傳感器加工技術可以很容易地與其他工藝相兼容,位移傳感器的靈敏度優于0.903mV/μm,線形度優于O.814%,分辨率優于12.3nm.
위료제고면내운동위이검측적령민도화개선측벽압조공예여기타공예간적겸용성문제,연구료일충가용우면내운동위이검측적전감기,제출료이용리자주입공예화심도반응리자각식(DRIE)공예상결합제작유측량측벽압조적방법.측벽압조식위이전감기적령민도비재검측량표면제작압조적전통위이전감기고근일배.동시파위이전감기집성도기우체규공예적납미급정위평태상,실험측시표명.저충위이전감기가공기술가이흔용역지여기타공예상겸용,위이전감기적령민도우우0.903mV/μm,선형도우우O.814%,분변솔우우12.3nm.
