粉末冶金技术
粉末冶金技術
분말야금기술
POWDER METALLURGY TECHNOLOGY
2011年
5期
334-338
,共5页
李一%李金普%贾成厂%柳学全%李发长%李楠
李一%李金普%賈成廠%柳學全%李髮長%李楠
리일%리금보%가성엄%류학전%리발장%리남
金属有机化学气相沉积(MOCVD)%六羰基钨(W(CO)6)%薄膜
金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)%六羰基鎢(W(CO)6)%薄膜
금속유궤화학기상침적(MOCVD)%륙탄기오(W(CO)6)%박막
以W(CO)6为前驱体,采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在Cu基体表面进行了沉积W薄膜的研究.通过调整W(CO)6热解温度、W(CO)6气化温度及载气(高纯氢气)的流量等工艺参数,成功制备了均匀、致密的W薄膜；研究了沉积速率与上述参数之间的关系,并得出了在本试验条件下应用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)制备W薄膜的最佳工艺参数:热解温度为320 ～ 380℃,载气流量为160～200ml/min.
以W(CO)6為前驅體,採用金屬有機化學氣相沉積法(MOCVD)在Cu基體錶麵進行瞭沉積W薄膜的研究.通過調整W(CO)6熱解溫度、W(CO)6氣化溫度及載氣(高純氫氣)的流量等工藝參數,成功製備瞭均勻、緻密的W薄膜；研究瞭沉積速率與上述參數之間的關繫,併得齣瞭在本試驗條件下應用金屬有機化學氣相沉積法(MOCVD)製備W薄膜的最佳工藝參數:熱解溫度為320 ～ 380℃,載氣流量為160～200ml/min.
이W(CO)6위전구체,채용금속유궤화학기상침적법(MOCVD)재Cu기체표면진행료침적W박막적연구.통과조정W(CO)6열해온도、W(CO)6기화온도급재기(고순경기)적류량등공예삼수,성공제비료균균、치밀적W박막；연구료침적속솔여상술삼수지간적관계,병득출료재본시험조건하응용금속유궤화학기상침적법(MOCVD)제비W박막적최가공예삼수:열해온도위320 ～ 380℃,재기류량위160～200ml/min.
