衬底温度对Inx Ga1-x N薄膜结构特性的影响
츤저온도대Inx Ga1-x N박막결구특성적영향
Influence of substrate temperature on structural property of InxGa1-xN thin films
  • 万方数据
    天津理工大学学报 천진리공대학학보
    JOURNAL OF TIANJIN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
    2012年 1期 79-82 ,共4页

    王金飞%薛玉明%祝俊刚%周凯%谭炳尧%张衷维%李石亮%裴涛%汪子涵%王一%牛伟凯%姜舒博%杨醒%蓝英杰

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    InxGa1-xN薄膜%MOCVD%太阳电池%衬底温度 InxGa1-xN薄膜%MOCVD%太暘電池%襯底溫度
    InxGa1-xN박막%MOCVD%태양전지%츤저온도
    本文采用MOCVD工艺,通过调整衬底温度(固定其它工艺参数)来沉积用于太阳电池的InxGa1 - xN薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、X射线荧光光谱仪(XRF)、扫描电子显微镜(SEM)和台阶仪来分析研究其结构特性.衬底温度较低时有利于薄膜的In注入,衬底温度较高时有利于沉积高结晶质量的InxGa1-xN薄膜.当衬底温度为470℃时,在硅衬底上所沉积的InxGa1-xN薄膜In含量较高,为46.92％；薄膜表面光滑致密,粗糙度小；颗粒较大,且颗粒大小均匀.
    본문채용MOCVD공예,통과조정츤저온도(고정기타공예삼수)래침적용우태양전지적InxGa1 - xN박막,병이용X사선연사의(XRD)、X사선형광광보의(XRF)、소묘전자현미경(SEM)화태계의래분석연구기결구특성.츤저온도교저시유리우박막적In주입,츤저온도교고시유리우침적고결정질량적InxGa1-xN박막.당츤저온도위470℃시,재규츤저상소침적적InxGa1-xN박막In함량교고,위46.92％；박막표면광활치밀,조조도소；과립교대,차과립대소균균.
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