激光技术
激光技術
격광기술
LASER TECHNOLOGY
2004年
1期
29-32
,共4页
黎子兰%胡晓东%章蓓%陈科%聂瑞娟%张国义
黎子蘭%鬍曉東%章蓓%陳科%聶瑞娟%張國義
려자란%호효동%장배%진과%섭서연%장국의
剥离%GaN%InGaN LD%解理
剝離%GaN%InGaN LD%解理
박리%GaN%InGaN LD%해리
利用波长为248nm的KrF准分子激光器进行了蓝宝石衬底GaN外延层剥离.对极薄的MOCVD生长的单层GaN外延膜(3μm)和InGaN LD外延膜(5μm)实现了大面积剥离.对剥离蓝宝石衬底背面抛光和未抛光外延片的不同特点作了比较,激光剥离所需的能量密度阈值分别约为200mJ/cm2和300mJ/cm2,优化结果表明,能量密度分别在400mJ/cm2和600mJ/cm2可实现稳定的剥离.同时对剥离后的InGaN多量子阱 LD结构薄膜进行了解理,SEM观察显示获得的InGaN LD腔面平整光滑.基于这种技术可以获得无蓝宝石衬底的GaN基光电子和电子器件.
利用波長為248nm的KrF準分子激光器進行瞭藍寶石襯底GaN外延層剝離.對極薄的MOCVD生長的單層GaN外延膜(3μm)和InGaN LD外延膜(5μm)實現瞭大麵積剝離.對剝離藍寶石襯底揹麵拋光和未拋光外延片的不同特點作瞭比較,激光剝離所需的能量密度閾值分彆約為200mJ/cm2和300mJ/cm2,優化結果錶明,能量密度分彆在400mJ/cm2和600mJ/cm2可實現穩定的剝離.同時對剝離後的InGaN多量子阱 LD結構薄膜進行瞭解理,SEM觀察顯示穫得的InGaN LD腔麵平整光滑.基于這種技術可以穫得無藍寶石襯底的GaN基光電子和電子器件.
이용파장위248nm적KrF준분자격광기진행료람보석츤저GaN외연층박리.대겁박적MOCVD생장적단층GaN외연막(3μm)화InGaN LD외연막(5μm)실현료대면적박리.대박리람보석츤저배면포광화미포광외연편적불동특점작료비교,격광박리소수적능량밀도역치분별약위200mJ/cm2화300mJ/cm2,우화결과표명,능량밀도분별재400mJ/cm2화600mJ/cm2가실현은정적박리.동시대박리후적InGaN다양자정 LD결구박막진행료해리,SEM관찰현시획득적InGaN LD강면평정광활.기우저충기술가이획득무람보석츤저적GaN기광전자화전자기건.
