液晶与显示
液晶與顯示
액정여현시
CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS
2004年
4期
266-269
,共4页
康凌%刘宝林%蔡加法%潘群峰
康凌%劉寶林%蔡加法%潘群峰
강릉%류보림%채가법%반군봉
InGaN%GaN%半高宽%红移%蓝移%黄带
InGaN%GaN%半高寬%紅移%藍移%黃帶
InGaN%GaN%반고관%홍이%람이%황대
采用光致发光方法研究了采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长的掺硅InGaN和掺硅GaN材料的光学性质.在室温下,InGaN材料带边峰位置为437.0 nm,半高宽为14.3 nm;GaN材料带边峰位置为363.4 nm,半高宽为9.5 nm.进行变温测量发现,随温度的升高,两种材料的发光强度降低,半高宽增大;GaN材料的带边峰值能量位置出现红移现象,与Varshini公式符合较好;InGaN材料的带边峰值能量位置则出现红移-蓝移-红移现象,这与InGaN材料的局域态、热效应以及由于电子-空穴对的形成而造成的无序程度增加有关,对大于140 K的峰值能量位置的红移用Varshini公式拟合,符合较好.
採用光緻髮光方法研究瞭採用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)在藍寶石襯底上生長的摻硅InGaN和摻硅GaN材料的光學性質.在室溫下,InGaN材料帶邊峰位置為437.0 nm,半高寬為14.3 nm;GaN材料帶邊峰位置為363.4 nm,半高寬為9.5 nm.進行變溫測量髮現,隨溫度的升高,兩種材料的髮光彊度降低,半高寬增大;GaN材料的帶邊峰值能量位置齣現紅移現象,與Varshini公式符閤較好;InGaN材料的帶邊峰值能量位置則齣現紅移-藍移-紅移現象,這與InGaN材料的跼域態、熱效應以及由于電子-空穴對的形成而造成的無序程度增加有關,對大于140 K的峰值能量位置的紅移用Varshini公式擬閤,符閤較好.
채용광치발광방법연구료채용금속유궤화학기상침적(MOCVD)재람보석츤저상생장적참규InGaN화참규GaN재료적광학성질.재실온하,InGaN재료대변봉위치위437.0 nm,반고관위14.3 nm;GaN재료대변봉위치위363.4 nm,반고관위9.5 nm.진행변온측량발현,수온도적승고,량충재료적발광강도강저,반고관증대;GaN재료적대변봉치능량위치출현홍이현상,여Varshini공식부합교호;InGaN재료적대변봉치능량위치칙출현홍이-람이-홍이현상,저여InGaN재료적국역태、열효응이급유우전자-공혈대적형성이조성적무서정도증가유관,대대우140 K적봉치능량위치적홍이용Varshini공식의합,부합교호.
