电子显微学报
電子顯微學報
전자현미학보
JOURNAL OF CHINESE ELECTRON MICROSCOPY SOCIETY
2001年
5期
603-606
,共4页
时东霞%巴德纯%解思深%庞世瑾%高鸿钧%宋延林
時東霞%巴德純%解思深%龐世瑾%高鴻鈞%宋延林
시동하%파덕순%해사심%방세근%고홍균%송연림
超高密度信息存储%扫描隧道显微镜%纳米有机薄膜
超高密度信息存儲%掃描隧道顯微鏡%納米有機薄膜
초고밀도신식존저%소묘수도현미경%납미유궤박막
采用扫描隧道显微镜(STM)在p-nitrobenzonitrile(PNBN)单体有机薄膜上进行信息记录点的写入研究.通过在STM针尖和高定向裂解石墨(HOPG)衬底之间施加一系列的电压脉冲进行信息记录点的写入,得到了一个信息点点径小于1 nm,对应存储密度高达1013 bit/cm2的信息存储点阵.电流-电压(I-V)曲线表明,薄膜上非信息点存储区域是高电阻区,而信息点存储区域是导电区,具有0-1信息存储特性.PNBN单体有机薄膜的存储机制可能是规则排列的PNBN分子在强电场作用下由有序向无序的转变,使得薄膜的电阻由高阻态向低阻态转变,从而实现信息点的写入.
採用掃描隧道顯微鏡(STM)在p-nitrobenzonitrile(PNBN)單體有機薄膜上進行信息記錄點的寫入研究.通過在STM針尖和高定嚮裂解石墨(HOPG)襯底之間施加一繫列的電壓脈遲進行信息記錄點的寫入,得到瞭一箇信息點點徑小于1 nm,對應存儲密度高達1013 bit/cm2的信息存儲點陣.電流-電壓(I-V)麯線錶明,薄膜上非信息點存儲區域是高電阻區,而信息點存儲區域是導電區,具有0-1信息存儲特性.PNBN單體有機薄膜的存儲機製可能是規則排列的PNBN分子在彊電場作用下由有序嚮無序的轉變,使得薄膜的電阻由高阻態嚮低阻態轉變,從而實現信息點的寫入.
채용소묘수도현미경(STM)재p-nitrobenzonitrile(PNBN)단체유궤박막상진행신식기록점적사입연구.통과재STM침첨화고정향렬해석묵(HOPG)츤저지간시가일계렬적전압맥충진행신식기록점적사입,득도료일개신식점점경소우1 nm,대응존저밀도고체1013 bit/cm2적신식존저점진.전류-전압(I-V)곡선표명,박막상비신식점존저구역시고전조구,이신식점존저구역시도전구,구유0-1신식존저특성.PNBN단체유궤박막적존저궤제가능시규칙배렬적PNBN분자재강전장작용하유유서향무서적전변,사득박막적전조유고조태향저조태전변,종이실현신식점적사입.
