强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
2008年
4期
683-686
,共4页
陆晓曼%张继成%吴卫东%朱永红%郭强%唐永建%孙卫国
陸曉曼%張繼成%吳衛東%硃永紅%郭彊%唐永建%孫衛國
륙효만%장계성%오위동%주영홍%곽강%당영건%손위국
离子刻蚀%电子回旋共振微波等离子体%α:CH薄膜%微齿轮
離子刻蝕%電子迴鏇共振微波等離子體%α:CH薄膜%微齒輪
리자각식%전자회선공진미파등리자체%α:CH박막%미치륜
为了刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小的α:CH薄膜微器件,研究了有铝和无铝掩膜、气体流量比、工作气压对刻蚀速率的影响,并对纯氧等离子体刻蚀稳定性进行了研究.研究结果表明:在相同条件下,刻蚀速率随刻蚀时间变化不大;α:CH薄膜上有铝和无铝掩膜时,刻蚀速率相同;流量一定时,刻蚀速率随氩气和氧气体积比的增大而降低,当用纯氩气时,几乎没刻蚀作用;刻蚀速率随工作气压的增大而降低.实验中,得到最佳刻蚀条件是:纯氧气,流量4 mL·s-1,工作气压9.9×10-2 Pa,微波源电流80 mA,偏压-90 V.
為瞭刻蝕齣圖形完整、側壁陡直、失真度小的α:CH薄膜微器件,研究瞭有鋁和無鋁掩膜、氣體流量比、工作氣壓對刻蝕速率的影響,併對純氧等離子體刻蝕穩定性進行瞭研究.研究結果錶明:在相同條件下,刻蝕速率隨刻蝕時間變化不大;α:CH薄膜上有鋁和無鋁掩膜時,刻蝕速率相同;流量一定時,刻蝕速率隨氬氣和氧氣體積比的增大而降低,噹用純氬氣時,幾乎沒刻蝕作用;刻蝕速率隨工作氣壓的增大而降低.實驗中,得到最佳刻蝕條件是:純氧氣,流量4 mL·s-1,工作氣壓9.9×10-2 Pa,微波源電流80 mA,偏壓-90 V.
위료각식출도형완정、측벽두직、실진도소적α:CH박막미기건,연구료유려화무려엄막、기체류량비、공작기압대각식속솔적영향,병대순양등리자체각식은정성진행료연구.연구결과표명:재상동조건하,각식속솔수각식시간변화불대;α:CH박막상유려화무려엄막시,각식속솔상동;류량일정시,각식속솔수아기화양기체적비적증대이강저,당용순아기시,궤호몰각식작용;각식속솔수공작기압적증대이강저.실험중,득도최가각식조건시:순양기,류량4 mL·s-1,공작기압9.9×10-2 Pa,미파원전류80 mA,편압-90 V.
