半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2001年
6期
684-688
,共5页
魏永强%刘会云%徐波%丁鼎%梁基本%王占国
魏永彊%劉會雲%徐波%丁鼎%樑基本%王佔國
위영강%류회운%서파%정정%량기본%왕점국
InAs/GaAs量子点%InGaAs盖层%快速热退火
InAs/GaAs量子點%InGaAs蓋層%快速熱退火
InAs/GaAs양자점%InGaAs개층%쾌속열퇴화
系统地研究了快速热退火对带有3nmInxGa1-xAs(x＝0,0.1,0.2)盖层的3nm高的InAs/GaAs量子点发光特性的影响.随着退火温度从650℃上升到850℃,量子点发光峰位的蓝移趋势是相似的.但是,量子点发光峰的半高宽随退火温度的变化趋势明显依赖于InGaAs盖层的组分.实验结果表明In-Ga在界面的横向扩散在量子点退火过程中起了重要的作用.另外,我们在较高的退火温度下观测到了InGaAs的发光峰.
繫統地研究瞭快速熱退火對帶有3nmInxGa1-xAs(x＝0,0.1,0.2)蓋層的3nm高的InAs/GaAs量子點髮光特性的影響.隨著退火溫度從650℃上升到850℃,量子點髮光峰位的藍移趨勢是相似的.但是,量子點髮光峰的半高寬隨退火溫度的變化趨勢明顯依賴于InGaAs蓋層的組分.實驗結果錶明In-Ga在界麵的橫嚮擴散在量子點退火過程中起瞭重要的作用.另外,我們在較高的退火溫度下觀測到瞭InGaAs的髮光峰.
계통지연구료쾌속열퇴화대대유3nmInxGa1-xAs(x＝0,0.1,0.2)개층적3nm고적InAs/GaAs양자점발광특성적영향.수착퇴화온도종650℃상승도850℃,양자점발광봉위적람이추세시상사적.단시,양자점발광봉적반고관수퇴화온도적변화추세명현의뢰우InGaAs개층적조분.실험결과표명In-Ga재계면적횡향확산재양자점퇴화과정중기료중요적작용.령외,아문재교고적퇴화온도하관측도료InGaAs적발광봉.
