上海理工大学学报
上海理工大學學報
상해리공대학학보
2009年
1期
23-26
,共4页
郭小丰%张启仁%刘廷禹%尹继刚%宋敏
郭小豐%張啟仁%劉廷禹%尹繼剛%宋敏
곽소봉%장계인%류정우%윤계강%송민
BaMOo4晶体%相对论密度泛函离散变分法%吸收带
BaMOo4晶體%相對論密度汎函離散變分法%吸收帶
BaMOo4정체%상대론밀도범함리산변분법%흡수대
运用相对论密度泛函离散变分法(DV-Xa)计算了BaM004晶体中F和F+色心的电子结构.结果表明:F和F+心在禁带中引入了新的施主能级,采用过渡态的方法计算得到了F和F+心到导带底部的跃迁能量分别为1.86 eV和2.11 eV,对应668 nm和590 nm的吸收.由此说明BaMoO4晶体中668 am和590 nm吸收带起源于晶体中的F和F+心.
運用相對論密度汎函離散變分法(DV-Xa)計算瞭BaM004晶體中F和F+色心的電子結構.結果錶明:F和F+心在禁帶中引入瞭新的施主能級,採用過渡態的方法計算得到瞭F和F+心到導帶底部的躍遷能量分彆為1.86 eV和2.11 eV,對應668 nm和590 nm的吸收.由此說明BaMoO4晶體中668 am和590 nm吸收帶起源于晶體中的F和F+心.
운용상대론밀도범함리산변분법(DV-Xa)계산료BaM004정체중F화F+색심적전자결구.결과표명:F화F+심재금대중인입료신적시주능급,채용과도태적방법계산득도료F화F+심도도대저부적약천능량분별위1.86 eV화2.11 eV,대응668 nm화590 nm적흡수.유차설명BaMoO4정체중668 am화590 nm흡수대기원우정체중적F화F+심.
