北京交通大学学报
北京交通大學學報
북경교통대학학보
JOURNAL OF NORTHERN JIAOTONG UNIVERSITY
2010年
6期
100-102,106
,共4页
王秀娥%章小丽%洪正平%徐昌贵
王秀娥%章小麗%洪正平%徐昌貴
왕수아%장소려%홍정평%서창귀
表面重构%能态%光电子%能谱%能量漂移
錶麵重構%能態%光電子%能譜%能量漂移
표면중구%능태%광전자%능보%능량표이
不断加热富硅SiC(0001)样品,分别用低能电子衍射(LEED)仪,扫描隧道显微镜(STM)观察,当加热到950 ℃时,出现SiC(0001)(√3×√3)R30°重构面的LEED和STM图样.利用X射线光电子能谱仪,记录发自SiC(0001)(√3×√3)R30°结构的角分辨X射线光电子能谱(XPS).采用最小二乘法,对内层能级的能量进行解旋,使其与实验数据拟合.分析实验结果,得出SiC(0001)(√3×√3)R30°结构中Si2p和C1s的能态结构,并与体内的Si2p和C1s的能态进行比较,得出表面Si2p态的能量漂移,进而发现SiC(0001)(√3×√3)R30°重构面仅由硅原子形成.
不斷加熱富硅SiC(0001)樣品,分彆用低能電子衍射(LEED)儀,掃描隧道顯微鏡(STM)觀察,噹加熱到950 ℃時,齣現SiC(0001)(√3×√3)R30°重構麵的LEED和STM圖樣.利用X射線光電子能譜儀,記錄髮自SiC(0001)(√3×√3)R30°結構的角分辨X射線光電子能譜(XPS).採用最小二乘法,對內層能級的能量進行解鏇,使其與實驗數據擬閤.分析實驗結果,得齣SiC(0001)(√3×√3)R30°結構中Si2p和C1s的能態結構,併與體內的Si2p和C1s的能態進行比較,得齣錶麵Si2p態的能量漂移,進而髮現SiC(0001)(√3×√3)R30°重構麵僅由硅原子形成.
불단가열부규SiC(0001)양품,분별용저능전자연사(LEED)의,소묘수도현미경(STM)관찰,당가열도950 ℃시,출현SiC(0001)(√3×√3)R30°중구면적LEED화STM도양.이용X사선광전자능보의,기록발자SiC(0001)(√3×√3)R30°결구적각분변X사선광전자능보(XPS).채용최소이승법,대내층능급적능량진행해선,사기여실험수거의합.분석실험결과,득출SiC(0001)(√3×√3)R30°결구중Si2p화C1s적능태결구,병여체내적Si2p화C1s적능태진행비교,득출표면Si2p태적능량표이,진이발현SiC(0001)(√3×√3)R30°중구면부유규원자형성.
