ZnSe和Cr∶ ZnSe单晶的温梯法制备及光学性能研究
ZnSe화Cr∶ ZnSe단정적온제법제비급광학성능연구
Preparation and Optical Properties of ZnSe and Cr∶ ZnSe Single Crystal Grown by Temperature Gradient Technique
  • 万方数据
    人工晶体学报 인공정체학보

    2011年 4期 848-852 ,共5页

    张浩%李琳%宋平新%张迎九%冷雨欣%许毅%董永军

    장호%리림%송평신%장영구%랭우흔%허의%동영군

    ZnSe%Cr∶ZnSe%温度梯度法(TGT)%中红外 ZnSe%Cr∶ZnSe%溫度梯度法(TGT)%中紅外
    ZnSe%Cr∶ZnSe%온도제도법(TGT)%중홍외
    采用温度梯度法(TGT)生长了直径为32 mm大尺寸ZnSe晶体.对生长出的ZnSe单晶进行了光学性能分析.采用磁控溅射方法在ZnSe晶体上镀铬膜,通过热扩散方法成功制备出中红外Cr∶ ZnSe激光晶体,并研究了Cr∶ZnSe晶体的光谱性能.吸收光谱测试观察到了Cr2+(3d4)取代四面体配位Zn2的5T2→5E能级的跃迁在1800nm的吸收带.77 K低温的光致发光光谱表明Cr∶ ZnSe晶体具有中心波长位于2.2 μm的宽谱带发射特征.
    채용온도제도법(TGT)생장료직경위32 mm대척촌ZnSe정체.대생장출적ZnSe단정진행료광학성능분석.채용자공천사방법재ZnSe정체상도락막,통과열확산방법성공제비출중홍외Cr∶ ZnSe격광정체,병연구료Cr∶ZnSe정체적광보성능.흡수광보측시관찰도료Cr2+(3d4)취대사면체배위Zn2적5T2→5E능급적약천재1800nm적흡수대.77 K저온적광치발광광보표명Cr∶ ZnSe정체구유중심파장위우2.2 μm적관보대발사특정.
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