固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2002年
3期
321-322,338
,共3页
张国强%陆妩%艾尔肯%余学锋%任迪远%严荣良
張國彊%陸嫵%艾爾肯%餘學鋒%任迪遠%嚴榮良
장국강%륙무%애이긍%여학봉%임적원%엄영량
氮化物%金属-氧化物-硅结构%击穿
氮化物%金屬-氧化物-硅結構%擊穿
담화물%금속-양화물-규결구%격천
研究了含N MOS薄栅介质膜的击穿电场和电荷击穿特性.结果表明:MOS栅介质中引入一定的N后,能提高介质的电荷击穿强度,电荷击穿强度受N2O退火温度的制约;N对薄栅介质的击穿电场强度影响甚微,击穿电场受栅偏压极性的制约.用一定模型解释了实验结果.
研究瞭含N MOS薄柵介質膜的擊穿電場和電荷擊穿特性.結果錶明:MOS柵介質中引入一定的N後,能提高介質的電荷擊穿彊度,電荷擊穿彊度受N2O退火溫度的製約;N對薄柵介質的擊穿電場彊度影響甚微,擊穿電場受柵偏壓極性的製約.用一定模型解釋瞭實驗結果.
연구료함N MOS박책개질막적격천전장화전하격천특성.결과표명:MOS책개질중인입일정적N후,능제고개질적전하격천강도,전하격천강도수N2O퇴화온도적제약;N대박책개질적격천전장강도영향심미,격천전장수책편압겁성적제약.용일정모형해석료실험결과.
