发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2012年
1期
68-71
,共4页
GaSb衬底%InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构%X射线双晶衍射%发光性质
GaSb襯底%InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱結構%X射線雙晶衍射%髮光性質
GaSb츤저%InGaAsSb/AlGaAsSb다양자정결구%X사선쌍정연사%발광성질
通过二元系和三元系结构参数计算四元系量子阱结构的晶格常数、禁带宽度等,设计了InGaAsSb/AlGaAsSb结构的MBE生长参数及工艺,利用X射线双晶衍射和PL谱研究了InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构特性和光学特性.X射线双晶衍射谱中出现了8条卫星峰,表明制备的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构具有良好的结晶质量.利用光致发光光谱方法对制备的样品的光学性质进行了表征,结果表明,不同组份的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱的发光峰波长随组份的变化在1.6～2.28 μm范围内可调,样品PL谱的半峰宽最窄可达22 meV.
通過二元繫和三元繫結構參數計算四元繫量子阱結構的晶格常數、禁帶寬度等,設計瞭InGaAsSb/AlGaAsSb結構的MBE生長參數及工藝,利用X射線雙晶衍射和PL譜研究瞭InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱結構特性和光學特性.X射線雙晶衍射譜中齣現瞭8條衛星峰,錶明製備的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱結構具有良好的結晶質量.利用光緻髮光光譜方法對製備的樣品的光學性質進行瞭錶徵,結果錶明,不同組份的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱的髮光峰波長隨組份的變化在1.6～2.28 μm範圍內可調,樣品PL譜的半峰寬最窄可達22 meV.
통과이원계화삼원계결구삼수계산사원계양자정결구적정격상수、금대관도등,설계료InGaAsSb/AlGaAsSb결구적MBE생장삼수급공예,이용X사선쌍정연사화PL보연구료InGaAsSb/AlGaAsSb다양자정결구특성화광학특성.X사선쌍정연사보중출현료8조위성봉,표명제비적InGaAsSb/AlGaAsSb다양자정결구구유량호적결정질량.이용광치발광광보방법대제비적양품적광학성질진행료표정,결과표명,불동조빈적InGaAsSb/AlGaAsSb다양자정적발광봉파장수조빈적변화재1.6～2.28 μm범위내가조,양품PL보적반봉관최착가체22 meV.
