长春理工大学学报（自然科学版）
長春理工大學學報（自然科學版）
장춘리공대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF CHANGCHUN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2012年
1期
128-130
,共3页
徐锋%蒋大勇%曹雪%孙云刚%陈濛%刘芯宇
徐鋒%蔣大勇%曹雪%孫雲剛%陳濛%劉芯宇
서봉%장대용%조설%손운강%진몽%류심우
ZnO薄膜%射频磁控溅射%同质缓冲层温度%吸收谱
ZnO薄膜%射頻磁控濺射%同質緩遲層溫度%吸收譜
ZnO박막%사빈자공천사%동질완충층온도%흡수보
ZnO是一种宽禁带半导体,由于其优良的物理和化学性能得到越来越多的青睐,并成为了光电器件的首选材料.本文采用射频磁控溅射技术在石英衬底上溅射ZnO同质缓冲层,之后再生长ZnO薄膜.缓冲层温度分别为373、473、573和673 K,生长温度为773 K.X射线衍射结果表明ZnO薄膜为六方结构,并且是(002)择优取向.综合吸收光谱和和光致发光谱,缓冲层温度为673 K时制备的薄膜的结晶质量最好.
ZnO是一種寬禁帶半導體,由于其優良的物理和化學性能得到越來越多的青睞,併成為瞭光電器件的首選材料.本文採用射頻磁控濺射技術在石英襯底上濺射ZnO同質緩遲層,之後再生長ZnO薄膜.緩遲層溫度分彆為373、473、573和673 K,生長溫度為773 K.X射線衍射結果錶明ZnO薄膜為六方結構,併且是(002)擇優取嚮.綜閤吸收光譜和和光緻髮光譜,緩遲層溫度為673 K時製備的薄膜的結晶質量最好.
ZnO시일충관금대반도체,유우기우량적물리화화학성능득도월래월다적청래,병성위료광전기건적수선재료.본문채용사빈자공천사기술재석영츤저상천사ZnO동질완충층,지후재생장ZnO박막.완충층온도분별위373、473、573화673 K,생장온도위773 K.X사선연사결과표명ZnO박막위륙방결구,병차시(002)택우취향.종합흡수광보화화광치발광보,완충층온도위673 K시제비적박막적결정질량최호.
