GaP1-xNx混晶(x=O.2 4%～3.1%)发光复合机制的研究
GaP1-xNx혼정(x=O.2 4%～3.1%)발광복합궤제적연구
Investigation on the Emission Recombination Mechanism of GaP1-xNx Alloys(x=0.24%～31%)
  • 万方数据
    厦门大学学报(自然科学版) 하문대학학보(자연과학판)
    JOURNAL OF XIAMEN UNIVERSITY
    2004年 4期 491-495 ,共5页

    吕毅军%高玉琳%林顺勇%郑健生%张勇%MASCARENHAS A%辛火平%杜武青

    려의군%고옥림%림순용%정건생%장용%MASCARENHAS A%신화평%두무청

    发光%Ⅲ-Ⅴ半导体%带隙弯曲 髮光%Ⅲ-Ⅴ半導體%帶隙彎麯
    발광%Ⅲ-Ⅴ반도체%대극만곡
    利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-xNx混晶的发光复合机制.GaP1-xNx混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显的带隙降低的趋势.测量结果显示,在组分x≥0.24%的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态,在低组分的混晶中,只存在一种激活能,仍然保持有束缚激子的特征;而在高组分样品(x≥0.81%)中存在两种激活能.高组分样品一方面仍保留有束缚激子的特征,另一方面也表现出新的发光机制.
    이용변온광치발광(PL)보연구료일계렬GaP1-xNx혼정적발광복합궤제.GaP1-xNx혼정적PL보종저조분적NN대속박격자급기성자반선도고조분잡질대발광적특정,표현출명현적대극강저적추세.측량결과현시,재조분x≥0.24%적양품적발광보중NN1능량지하이경개시출현궤개신적속박태,재저조분적혼정중,지존재일충격활능,잉연보지유속박격자적특정;이재고조분양품(x≥0.81%)중존재량충격활능.고조분양품일방면잉보류유속박격자적특정,령일방면야표현출신적발광궤제.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문