半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
11期
2029-2034
,共6页
宽带低噪声放大器%噪声系数%线性度%噪声抵消
寬帶低譟聲放大器%譟聲繫數%線性度%譟聲牴消
관대저조성방대기%조성계수%선성도%조성저소
介绍了一种宽带CMOS低噪声放大器设计方法,采用噪声抵消技术消除输入MOS管的噪声贡献.芯片采用TSMC 0.25μm 1P5M RF CMOS工艺实现.测试结果表明:在50～860MHz工作频率内,电压增益约为13.4dB;噪声系数在2.4～3.5dB之间;增益1dB压缩点为-6.7dBm;输入参考三阶交调点为3.3dBm.在2.5V直流电压下测得的功耗约为30mW.
介紹瞭一種寬帶CMOS低譟聲放大器設計方法,採用譟聲牴消技術消除輸入MOS管的譟聲貢獻.芯片採用TSMC 0.25μm 1P5M RF CMOS工藝實現.測試結果錶明:在50～860MHz工作頻率內,電壓增益約為13.4dB;譟聲繫數在2.4～3.5dB之間;增益1dB壓縮點為-6.7dBm;輸入參攷三階交調點為3.3dBm.在2.5V直流電壓下測得的功耗約為30mW.
개소료일충관대CMOS저조성방대기설계방법,채용조성저소기술소제수입MOS관적조성공헌.심편채용TSMC 0.25μm 1P5M RF CMOS공예실현.측시결과표명:재50～860MHz공작빈솔내,전압증익약위13.4dB;조성계수재2.4～3.5dB지간;증익1dB압축점위-6.7dBm;수입삼고삼계교조점위3.3dBm.재2.5V직류전압하측득적공모약위30mW.
