半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
7期
1149-1155
,共7页
王义凯%王忆%巩文超%何乐年
王義凱%王憶%鞏文超%何樂年
왕의개%왕억%공문초%하악년
低压差线形稳压器%稳定性%改进型米勒补偿%超调量控制
低壓差線形穩壓器%穩定性%改進型米勒補償%超調量控製
저압차선형은압기%은정성%개진형미륵보상%초조량공제
以设计输出电流为800mA的高稳定线性稳压器(low-dropout voltage regulator,LDO)为目标,利用工作在线性区的MOS管具有压控电阻特性,构造零点跟踪电路以抵消随输出电流变化的极点,并且采用了改进型米勒补偿方案使电路系统具有60°的相位裕度,达到了大输出电流下的高稳定性要求.另外,分析了电路在转换发生时电路结构参数和负载整流特性的关系,提出了一种能在瞬间提供大电流的转换速率加强电路,达到了在负载电流从800mA到10mA跳变时,输出电压的跳变量控制在60mY以内,并且最长输出电压恢复时间在500μs以内.芯片采用CSMC公司的0.6μm CMOS数模混合信号工艺设计,并经过流片和测试,测试结果验证了设计方案.
以設計輸齣電流為800mA的高穩定線性穩壓器(low-dropout voltage regulator,LDO)為目標,利用工作在線性區的MOS管具有壓控電阻特性,構造零點跟蹤電路以牴消隨輸齣電流變化的極點,併且採用瞭改進型米勒補償方案使電路繫統具有60°的相位裕度,達到瞭大輸齣電流下的高穩定性要求.另外,分析瞭電路在轉換髮生時電路結構參數和負載整流特性的關繫,提齣瞭一種能在瞬間提供大電流的轉換速率加彊電路,達到瞭在負載電流從800mA到10mA跳變時,輸齣電壓的跳變量控製在60mY以內,併且最長輸齣電壓恢複時間在500μs以內.芯片採用CSMC公司的0.6μm CMOS數模混閤信號工藝設計,併經過流片和測試,測試結果驗證瞭設計方案.
이설계수출전류위800mA적고은정선성은압기(low-dropout voltage regulator,LDO)위목표,이용공작재선성구적MOS관구유압공전조특성,구조영점근종전로이저소수수출전류변화적겁점,병차채용료개진형미륵보상방안사전로계통구유60°적상위유도,체도료대수출전류하적고은정성요구.령외,분석료전로재전환발생시전로결구삼수화부재정류특성적관계,제출료일충능재순간제공대전류적전환속솔가강전로,체도료재부재전류종800mA도10mA도변시,수출전압적도변량공제재60mY이내,병차최장수출전압회복시간재500μs이내.심편채용CSMC공사적0.6μm CMOS수모혼합신호공예설계,병경과류편화측시,측시결과험증료설계방안.
