电脑知识与技术
電腦知識與技術
전뇌지식여기술
COMPUTER KNOWLEDGE AND TECHNOLOGY
2010年
30期
8641-8643
,共3页
MOS场效应管%直流模型%关键参数
MOS場效應管%直流模型%關鍵參數
MOS장효응관%직류모형%관건삼수
MOS3模型对于沟道长度在1微米的器件的数字分析有良好的适用性,但随着集成电路工艺的不断发展,MOSFET沟道长度进一步减小,生产工艺也发生了变化.在深亚微米的短沟道工艺下,原有的MOS3直流模型已不能有效地反映出MOSFET的直流特性了.该文在不考虑器件结构和物理工作特性的情况下,只对沟道中间低掺杂区城做模型,找出深亚徽米MOS静态管直流模型的关键参数,并提出对关键参数进行修正的方法.
MOS3模型對于溝道長度在1微米的器件的數字分析有良好的適用性,但隨著集成電路工藝的不斷髮展,MOSFET溝道長度進一步減小,生產工藝也髮生瞭變化.在深亞微米的短溝道工藝下,原有的MOS3直流模型已不能有效地反映齣MOSFET的直流特性瞭.該文在不攷慮器件結構和物理工作特性的情況下,隻對溝道中間低摻雜區城做模型,找齣深亞徽米MOS靜態管直流模型的關鍵參數,併提齣對關鍵參數進行脩正的方法.
MOS3모형대우구도장도재1미미적기건적수자분석유량호적괄용성,단수착집성전로공예적불단발전,MOSFET구도장도진일보감소,생산공예야발생료변화.재심아미미적단구도공예하,원유적MOS3직류모형이불능유효지반영출MOSFET적직류특성료.해문재불고필기건결구화물리공작특성적정황하,지대구도중간저참잡구성주모형,조출심아휘미MOS정태관직류모형적관건삼수,병제출대관건삼수진행수정적방법.
