HfO2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET制备及迁移率退化研究
HfO2/TaON첩층책개질Ge pMOSFET제비급천이솔퇴화연구
Fabricating Ge pMOSFET with HfO2/TaON Gate Stack and Analyzing the Degradation of Hole Mobility
  • 万方数据
    固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
    RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
    2010年 4期 485-488 ,共4页

    张雪锋%季红兵%邱云贞%王志亮%陈云%张振娟%黄静%徐静平

    장설봉%계홍병%구운정%왕지량%진운%장진연%황정%서정평

    锗基P沟场金属-氯化物-半导体场效应晶体管%高介电常数介质%散射%迁移率 鍺基P溝場金屬-氯化物-半導體場效應晶體管%高介電常數介質%散射%遷移率
    타기P구장금속-록화물-반도체장효응정체관%고개전상수개질%산사%천이솔
    为提高high-k/Ge界面质量,在high-k 介质和Ge表面引入薄的TaON界面层.相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET样品的空穴迁移率有显著提高,但仍小于理论预测值.利用high-k栅介质MOSFET中各种新的附加散射机制,分析了迁移率退化的原因,模型计算结果与实验结果一致.
    위제고high-k/Ge계면질량,재high-k 개질화Ge표면인입박적TaON계면층.상대우몰유계면층적양품,HfO2/TaON첩층책개질Ge pMOSFET양품적공혈천이솔유현저제고,단잉소우이론예측치.이용high-k책개질MOSFET중각충신적부가산사궤제,분석료천이솔퇴화적원인,모형계산결과여실험결과일치.
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