微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2003年
6期
490-494,498
,共6页
严杰锋%林茵殷%汤庭鳌%程旭
嚴傑鋒%林茵慇%湯庭鼇%程旭
엄걸봉%림인은%탕정오%정욱
存储器%铁电存储器%铁电电容%现场可编程门阵列
存儲器%鐵電存儲器%鐵電電容%現場可編程門陣列
존저기%철전존저기%철전전용%현장가편정문진렬
提出了一种全新的基于铁电存储器FeRAM编程的非挥发FPGA思想(概念),它主要是针对基于SRAM的FPGA的掉电挥发性问题提出的.文章在采用传统2T-2C结构的铁电存储单元的基础上完成数据的编程操作,并进一步对上述单元进行了电路和时序上的调整设计,提出了在FPGA工作环境下虽破坏性读出但无需回写的铁电存储单元.通过对文中提及的两种单元电路的仿真模拟,实现了编程数据的掉电保护、上电恢复的非挥发功能,初步验证了基于FeRAM编程的非挥发FPGA思想的正确性和可行性.
提齣瞭一種全新的基于鐵電存儲器FeRAM編程的非揮髮FPGA思想(概唸),它主要是針對基于SRAM的FPGA的掉電揮髮性問題提齣的.文章在採用傳統2T-2C結構的鐵電存儲單元的基礎上完成數據的編程操作,併進一步對上述單元進行瞭電路和時序上的調整設計,提齣瞭在FPGA工作環境下雖破壞性讀齣但無需迴寫的鐵電存儲單元.通過對文中提及的兩種單元電路的倣真模擬,實現瞭編程數據的掉電保護、上電恢複的非揮髮功能,初步驗證瞭基于FeRAM編程的非揮髮FPGA思想的正確性和可行性.
제출료일충전신적기우철전존저기FeRAM편정적비휘발FPGA사상(개념),타주요시침대기우SRAM적FPGA적도전휘발성문제제출적.문장재채용전통2T-2C결구적철전존저단원적기출상완성수거적편정조작,병진일보대상술단원진행료전로화시서상적조정설계,제출료재FPGA공작배경하수파배성독출단무수회사적철전존저단원.통과대문중제급적량충단원전로적방진모의,실현료편정수거적도전보호、상전회복적비휘발공능,초보험증료기우FeRAM편정적비휘발FPGA사상적정학성화가행성.
