半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
z1期
78-80
,共3页
分子束外延%量子点%InGaAs/GaAs%红外吸收
分子束外延%量子點%InGaAs/GaAs%紅外吸收
분자속외연%양자점%InGaAs/GaAs%홍외흡수
利用分子束外延枝术,自组织生长了具有正入射红外吸收特性的InGaAs/GaAs量子点超晶格结构.通过改变结构参数和生长参数,可改变量子点的形状、尺寸和调制其红外吸收波长,用于研制8～12μm大气窗口的红外探测器.观测发现随着量子点超晶格结构的InGaAs层厚度增加,其红外吸收峰蓝移,用量子点间的耦合作用随InGaAs层的厚度的增加而增强的观点对其机理给予解释.
利用分子束外延枝術,自組織生長瞭具有正入射紅外吸收特性的InGaAs/GaAs量子點超晶格結構.通過改變結構參數和生長參數,可改變量子點的形狀、呎吋和調製其紅外吸收波長,用于研製8～12μm大氣窗口的紅外探測器.觀測髮現隨著量子點超晶格結構的InGaAs層厚度增加,其紅外吸收峰藍移,用量子點間的耦閤作用隨InGaAs層的厚度的增加而增彊的觀點對其機理給予解釋.
이용분자속외연지술,자조직생장료구유정입사홍외흡수특성적InGaAs/GaAs양자점초정격결구.통과개변결구삼수화생장삼수,가개변양자점적형상、척촌화조제기홍외흡수파장,용우연제8～12μm대기창구적홍외탐측기.관측발현수착양자점초정격결구적InGaAs층후도증가,기홍외흡수봉람이,용양자점간적우합작용수InGaAs층적후도적증가이증강적관점대기궤리급여해석.
