传感器技术
傳感器技術
전감기기술
JOURNAL OF TRANSDUCER TECHNOLOGY
2004年
3期
11-13
,共3页
许媛媛%何金田%李新建%陈渝仁%胡行
許媛媛%何金田%李新建%陳渝仁%鬍行
허원원%하금전%리신건%진투인%호행
水热腐蚀%铁钝化%多孔硅%湿度
水熱腐蝕%鐵鈍化%多孔硅%濕度
수열부식%철둔화%다공규%습도
采用水热腐蚀铁钝化法在单晶硅片上生长铁钝化多孔硅(IPS)薄膜,以IPS为感湿介质制成湿敏元件.在不同湿度环境以及测试频率下,测出其电容值,得到了IPS的湿敏特性曲线.研究发现,当相对湿度从11%RH逐渐增加到95%RH的过程中,在测试频率为100Hz时,IPS湿敏元件的电容值增大幅度达1500%,电容响应时间在升湿过程和脱湿过程分别为15s和5s,并且IPS湿敏元件的温度系数在15℃到35℃的范围内较小.结果表明:IPS湿敏元件的特性包括灵敏度、响应时间以及温度系数等均优于多孔硅(PS)湿敏元件的特性.
採用水熱腐蝕鐵鈍化法在單晶硅片上生長鐵鈍化多孔硅(IPS)薄膜,以IPS為感濕介質製成濕敏元件.在不同濕度環境以及測試頻率下,測齣其電容值,得到瞭IPS的濕敏特性麯線.研究髮現,噹相對濕度從11%RH逐漸增加到95%RH的過程中,在測試頻率為100Hz時,IPS濕敏元件的電容值增大幅度達1500%,電容響應時間在升濕過程和脫濕過程分彆為15s和5s,併且IPS濕敏元件的溫度繫數在15℃到35℃的範圍內較小.結果錶明:IPS濕敏元件的特性包括靈敏度、響應時間以及溫度繫數等均優于多孔硅(PS)濕敏元件的特性.
채용수열부식철둔화법재단정규편상생장철둔화다공규(IPS)박막,이IPS위감습개질제성습민원건.재불동습도배경이급측시빈솔하,측출기전용치,득도료IPS적습민특성곡선.연구발현,당상대습도종11%RH축점증가도95%RH적과정중,재측시빈솔위100Hz시,IPS습민원건적전용치증대폭도체1500%,전용향응시간재승습과정화탈습과정분별위15s화5s,병차IPS습민원건적온도계수재15℃도35℃적범위내교소.결과표명:IPS습민원건적특성포괄령민도、향응시간이급온도계수등균우우다공규(PS)습민원건적특성.
