重庆师范大学学报（自然科学版）
重慶師範大學學報（自然科學版）
중경사범대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF CHONGQING NORMAL UNIVERSITY（NATURAL SCIENCE EDITION）
2012年
2期
68-71
,共4页
梁薇薇%孔春阳%秦国平%阮海波
樑薇薇%孔春暘%秦國平%阮海波
량미미%공춘양%진국평%원해파
Al-N共掺%p-ZnO%N离子注入%XPS
Al-N共摻%p-ZnO%N離子註入%XPS
Al-N공참%p-ZnO%N리자주입%XPS
利用射频磁控溅射技术在石英玻璃上制备了ZnO:Al薄膜,继而N离子注入实现薄膜的Al-N共掺杂,随后进行了不同温度和时间的热处理.并借助X射线衍射(XRD)、霍耳测试(Hall)、X射线光电能谱仪(XPS)等手段对ZnO薄膜的性能进行了表征.实验结果表明,Al-N共掺杂ZnO薄膜在578℃退火8 min表现出较稳定的p型导电,其载流子数高达1×1018～6×1018个·cm-3,对应的电阻率为1～9 Ω·cm,迁移率为1～2 cm2·V-1·s-1.与单掺N相比,实现p型导电所需的退火温度有明显降低,这很可能与Al的掺入有关.此外,XPS测试结果证实大量的Ni取代O空位是薄膜p型导电的根本原因.
利用射頻磁控濺射技術在石英玻璃上製備瞭ZnO:Al薄膜,繼而N離子註入實現薄膜的Al-N共摻雜,隨後進行瞭不同溫度和時間的熱處理.併藉助X射線衍射(XRD)、霍耳測試(Hall)、X射線光電能譜儀(XPS)等手段對ZnO薄膜的性能進行瞭錶徵.實驗結果錶明,Al-N共摻雜ZnO薄膜在578℃退火8 min錶現齣較穩定的p型導電,其載流子數高達1×1018～6×1018箇·cm-3,對應的電阻率為1～9 Ω·cm,遷移率為1～2 cm2·V-1·s-1.與單摻N相比,實現p型導電所需的退火溫度有明顯降低,這很可能與Al的摻入有關.此外,XPS測試結果證實大量的Ni取代O空位是薄膜p型導電的根本原因.
이용사빈자공천사기술재석영파리상제비료ZnO:Al박막,계이N리자주입실현박막적Al-N공참잡,수후진행료불동온도화시간적열처리.병차조X사선연사(XRD)、곽이측시(Hall)、X사선광전능보의(XPS)등수단대ZnO박막적성능진행료표정.실험결과표명,Al-N공참잡ZnO박막재578℃퇴화8 min표현출교은정적p형도전,기재류자수고체1×1018～6×1018개·cm-3,대응적전조솔위1～9 Ω·cm,천이솔위1～2 cm2·V-1·s-1.여단참N상비,실현p형도전소수적퇴화온도유명현강저,저흔가능여Al적참입유관.차외,XPS측시결과증실대량적Ni취대O공위시박막p형도전적근본원인.
