微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
8期
489-493
,共5页
武继斌%吴洪江%张志国%高学邦
武繼斌%吳洪江%張誌國%高學邦
무계빈%오홍강%장지국%고학방
AlGaAs/InGaAs%PHEMT%单片功率放大器%大功率%S波段
AlGaAs/InGaAs%PHEMT%單片功率放大器%大功率%S波段
AlGaAs/InGaAs%PHEMT%단편공솔방대기%대공솔%S파단
GaAs单片集成电路具有体积小、质量轻和可靠性高等特性,已经成为微波领域重要的器件.采用MBE技术生长出双面掺杂AlGaAs/InGaAs PHEMT结构的外延材料,研制了高效率的GaAs PHEMT器件,S波段功率附加效率大于55%.建立了基于EEHEMT的大信号模型,利用ADS软件搭建了有耗匹配的二级放大电路拓扑结构,进行最佳效率匹配,得到优化电路.采用4英寸(1英寸= 2.54 cm)GaAs 0.35 μm标准工艺研制了AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT MMIC电路,测试结果表明,在测试频率为2.2～3.4 GHz,测试电压VDS为10 V时,输出功率大于12W,功率增益大于22 dB,功率附加效率大于40%.
GaAs單片集成電路具有體積小、質量輕和可靠性高等特性,已經成為微波領域重要的器件.採用MBE技術生長齣雙麵摻雜AlGaAs/InGaAs PHEMT結構的外延材料,研製瞭高效率的GaAs PHEMT器件,S波段功率附加效率大于55%.建立瞭基于EEHEMT的大信號模型,利用ADS軟件搭建瞭有耗匹配的二級放大電路拓撲結構,進行最佳效率匹配,得到優化電路.採用4英吋(1英吋= 2.54 cm)GaAs 0.35 μm標準工藝研製瞭AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT MMIC電路,測試結果錶明,在測試頻率為2.2～3.4 GHz,測試電壓VDS為10 V時,輸齣功率大于12W,功率增益大于22 dB,功率附加效率大于40%.
GaAs단편집성전로구유체적소、질량경화가고성고등특성,이경성위미파영역중요적기건.채용MBE기술생장출쌍면참잡AlGaAs/InGaAs PHEMT결구적외연재료,연제료고효솔적GaAs PHEMT기건,S파단공솔부가효솔대우55%.건립료기우EEHEMT적대신호모형,이용ADS연건탑건료유모필배적이급방대전로탁복결구,진행최가효솔필배,득도우화전로.채용4영촌(1영촌= 2.54 cm)GaAs 0.35 μm표준공예연제료AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT MMIC전로,측시결과표명,재측시빈솔위2.2～3.4 GHz,측시전압VDS위10 V시,수출공솔대우12W,공솔증익대우22 dB,공솔부가효솔대우40%.
