半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
6期
434-438
,共5页
刘立龙%张昕%卢茜%周乾飞%吴晓京
劉立龍%張昕%盧茜%週乾飛%吳曉京
류립룡%장흔%로천%주건비%오효경
镀镍铜框架%环氧塑封料%等离子体浸没式注入%附着力%羰基
鍍鎳銅框架%環氧塑封料%等離子體浸沒式註入%附著力%羰基
도얼동광가%배양소봉료%등리자체침몰식주입%부착력%탄기
利用等离子体浸没式注入(PIII)技术,使用O2,N2,CO和CO2做气体源,对镀镍铜框架表面进行处理.拉力测试实验结果表明,与未经处理的空白框架相比,经过CO和CO2等离子体注入处理的镀镍铜框架与环氧塑封料(EMC)间的附着力分别提高了约35倍和12倍,而在使用O2和N2等离子体注入处理的情况下,附着力基本没有变化.通过扫描电子显微镜(SEM)对处理前后的框架表面观察,发现PIII处理并未引起表面粗糙度的显著变化.利用X射线电子能谱(XPS)分析,可以发现在经过CO或CO2等离子体注入处理后的框架表面有羰基出现.基于这些结果,分析了导致附着力提升的机理.
利用等離子體浸沒式註入(PIII)技術,使用O2,N2,CO和CO2做氣體源,對鍍鎳銅框架錶麵進行處理.拉力測試實驗結果錶明,與未經處理的空白框架相比,經過CO和CO2等離子體註入處理的鍍鎳銅框架與環氧塑封料(EMC)間的附著力分彆提高瞭約35倍和12倍,而在使用O2和N2等離子體註入處理的情況下,附著力基本沒有變化.通過掃描電子顯微鏡(SEM)對處理前後的框架錶麵觀察,髮現PIII處理併未引起錶麵粗糙度的顯著變化.利用X射線電子能譜(XPS)分析,可以髮現在經過CO或CO2等離子體註入處理後的框架錶麵有羰基齣現.基于這些結果,分析瞭導緻附著力提升的機理.
이용등리자체침몰식주입(PIII)기술,사용O2,N2,CO화CO2주기체원,대도얼동광가표면진행처리.랍력측시실험결과표명,여미경처리적공백광가상비,경과CO화CO2등리자체주입처리적도얼동광가여배양소봉료(EMC)간적부착력분별제고료약35배화12배,이재사용O2화N2등리자체주입처리적정황하,부착력기본몰유변화.통과소묘전자현미경(SEM)대처리전후적광가표면관찰,발현PIII처리병미인기표면조조도적현저변화.이용X사선전자능보(XPS)분석,가이발현재경과CO혹CO2등리자체주입처리후적광가표면유탄기출현.기우저사결과,분석료도치부착력제승적궤리.
