传感技术学报
傳感技術學報
전감기술학보
Journal of Transduction Technology
2006年
5期
1415-1418
,共4页
陈特超%禹庆荣%龚杰洪%张冬艳%伍波%李键志
陳特超%禹慶榮%龔傑洪%張鼕豔%伍波%李鍵誌
진특초%우경영%공걸홍%장동염%오파%리건지
微电子机械系统%深反应离子%刻蚀%控制%设备
微電子機械繫統%深反應離子%刻蝕%控製%設備
미전자궤계계통%심반응리자%각식%공제%설비
深反应离子刻蚀(DRIE)设备,主要应用于MEMS器件制造中Si材料的深槽刻蚀[1].介绍了一种用于硅材料的高深宽比反应离子刻蚀设备,采用ICP技术,刻蚀深宽比≥25∶1.着重阐述了该设备的结构组成、设计方法及控制方法.
深反應離子刻蝕(DRIE)設備,主要應用于MEMS器件製造中Si材料的深槽刻蝕[1].介紹瞭一種用于硅材料的高深寬比反應離子刻蝕設備,採用ICP技術,刻蝕深寬比≥25∶1.著重闡述瞭該設備的結構組成、設計方法及控製方法.
심반응리자각식(DRIE)설비,주요응용우MEMS기건제조중Si재료적심조각식[1].개소료일충용우규재료적고심관비반응리자각식설비,채용ICP기술,각식심관비≥25∶1.착중천술료해설비적결구조성、설계방법급공제방법.
