人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2010年
3期
741-746
,共6页
SiC%测温盲孔%热场%温度梯度
SiC%測溫盲孔%熱場%溫度梯度
SiC%측온맹공%열장%온도제도
实验中研究了不同结构参数的测温盲孔对晶体生长面热场的影响,结果分析表明:径向温度梯度和轴向温度梯度与测温盲孔的深度和半径近似成正比关系,但测温盲孔尺寸变化对径向温度梯度和轴向温度梯度的影响效果不同;改变测温盲孔尺寸适于调节径向温度梯度;测温盲孔半径和深度的增加均可导致坩埚盖上SiC多晶生长速率提高.
實驗中研究瞭不同結構參數的測溫盲孔對晶體生長麵熱場的影響,結果分析錶明:徑嚮溫度梯度和軸嚮溫度梯度與測溫盲孔的深度和半徑近似成正比關繫,但測溫盲孔呎吋變化對徑嚮溫度梯度和軸嚮溫度梯度的影響效果不同;改變測溫盲孔呎吋適于調節徑嚮溫度梯度;測溫盲孔半徑和深度的增加均可導緻坩堝蓋上SiC多晶生長速率提高.
실험중연구료불동결구삼수적측온맹공대정체생장면열장적영향,결과분석표명:경향온도제도화축향온도제도여측온맹공적심도화반경근사성정비관계,단측온맹공척촌변화대경향온도제도화축향온도제도적영향효과불동;개변측온맹공척촌괄우조절경향온도제도;측온맹공반경화심도적증가균가도치감과개상SiC다정생장속솔제고.
