稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2006年
z1期
343-346
,共4页
SILAR法%Bi2Se3-Sb2Se3%薄膜%表征
SILAR法%Bi2Se3-Sb2Se3%薄膜%錶徵
SILAR법%Bi2Se3-Sb2Se3%박막%표정
采用连续离子层吸附反应(SILAR)法,分别用含有Se2-,Bi3+和Sb3+的离子溶液作为独立的阴、阳离子前驱溶液,以载玻片为衬底,在室温下沉积出致密且具有镜面金属光泽的Bi2Se3-Sb2Se3薄膜材料.为了改善薄膜样品的结晶状态,对其进行了退火处理.用AFM观察了薄膜样品的表面形貌,用XRD分析了退火前后薄膜样品的结晶状态.结果表明:薄膜样品经200℃较低温度下退火处理4 h以后,薄膜的结晶状态由无定形态转化为多晶态,其平均晶粒尺寸为30 nm～40 nm.
採用連續離子層吸附反應(SILAR)法,分彆用含有Se2-,Bi3+和Sb3+的離子溶液作為獨立的陰、暘離子前驅溶液,以載玻片為襯底,在室溫下沉積齣緻密且具有鏡麵金屬光澤的Bi2Se3-Sb2Se3薄膜材料.為瞭改善薄膜樣品的結晶狀態,對其進行瞭退火處理.用AFM觀察瞭薄膜樣品的錶麵形貌,用XRD分析瞭退火前後薄膜樣品的結晶狀態.結果錶明:薄膜樣品經200℃較低溫度下退火處理4 h以後,薄膜的結晶狀態由無定形態轉化為多晶態,其平均晶粒呎吋為30 nm～40 nm.
채용련속리자층흡부반응(SILAR)법,분별용함유Se2-,Bi3+화Sb3+적리자용액작위독립적음、양리자전구용액,이재파편위츤저,재실온하침적출치밀차구유경면금속광택적Bi2Se3-Sb2Se3박막재료.위료개선박막양품적결정상태,대기진행료퇴화처리.용AFM관찰료박막양품적표면형모,용XRD분석료퇴화전후박막양품적결정상태.결과표명:박막양품경200℃교저온도하퇴화처리4 h이후,박막적결정상태유무정형태전화위다정태,기평균정립척촌위30 nm～40 nm.
