光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2007年
3期
303-305
,共3页
牛海军%樊丽权%李晨明%王宏波%王宇威%白续铎%温殿忠
牛海軍%樊麗權%李晨明%王宏波%王宇威%白續鐸%溫殿忠
우해군%번려권%리신명%왕굉파%왕우위%백속탁%온전충
垂直靶向脉冲激光沉积(VTPLD)%ZnO纳米薄膜%ZnO微纳米孔薄膜%光致发光(PL)
垂直靶嚮脈遲激光沉積(VTPLD)%ZnO納米薄膜%ZnO微納米孔薄膜%光緻髮光(PL)
수직파향맥충격광침적(VTPLD)%ZnO납미박막%ZnO미납미공박막%광치발광(PL)
用一种新颖的制备纳米粒子与薄膜的垂直靶向脉冲激光沉积(VTPLD)方法,在室温及空气气氛下,于玻璃基底上成功地制备出ZnO纳米薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)仪对ZnO纳米薄膜的表面形貌和结构进行了表征,用荧光光谱仪对薄膜的光致发光(PL)性能进行了测量.结果表明,当激光功率为13 W时,沉积出的粒子大小较均匀,尺寸在40 nm左右,且粒子排列呈现出一定方向性;当激光功率为21 W时,沉积的ZnO纳米薄膜图呈现出微纳米孔的连续薄膜.在玻璃基底上沉积的ZnO纳米薄膜有一主峰对应的(002)衍射晶面,表明ZnO纳米薄膜具有良好的c轴取向性.不同激光功率下沉积ZnO纳米薄膜经500 ℃热处理后的PL峰,其强度随激光能量而变化,最大发光波长位于412 nm.
用一種新穎的製備納米粒子與薄膜的垂直靶嚮脈遲激光沉積(VTPLD)方法,在室溫及空氣氣氛下,于玻璃基底上成功地製備齣ZnO納米薄膜.用掃描電子顯微鏡(SEM)和X射線衍射(XRD)儀對ZnO納米薄膜的錶麵形貌和結構進行瞭錶徵,用熒光光譜儀對薄膜的光緻髮光(PL)性能進行瞭測量.結果錶明,噹激光功率為13 W時,沉積齣的粒子大小較均勻,呎吋在40 nm左右,且粒子排列呈現齣一定方嚮性;噹激光功率為21 W時,沉積的ZnO納米薄膜圖呈現齣微納米孔的連續薄膜.在玻璃基底上沉積的ZnO納米薄膜有一主峰對應的(002)衍射晶麵,錶明ZnO納米薄膜具有良好的c軸取嚮性.不同激光功率下沉積ZnO納米薄膜經500 ℃熱處理後的PL峰,其彊度隨激光能量而變化,最大髮光波長位于412 nm.
용일충신영적제비납미입자여박막적수직파향맥충격광침적(VTPLD)방법,재실온급공기기분하,우파리기저상성공지제비출ZnO납미박막.용소묘전자현미경(SEM)화X사선연사(XRD)의대ZnO납미박막적표면형모화결구진행료표정,용형광광보의대박막적광치발광(PL)성능진행료측량.결과표명,당격광공솔위13 W시,침적출적입자대소교균균,척촌재40 nm좌우,차입자배렬정현출일정방향성;당격광공솔위21 W시,침적적ZnO납미박막도정현출미납미공적련속박막.재파리기저상침적적ZnO납미박막유일주봉대응적(002)연사정면,표명ZnO납미박막구유량호적c축취향성.불동격광공솔하침적ZnO납미박막경500 ℃열처리후적PL봉,기강도수격광능량이변화,최대발광파장위우412 nm.
