物理学报
物理學報
물이학보
2007年
6期
3350-3354
,共5页
王欢%姚淑德%潘尧波%张国义
王歡%姚淑德%潘堯波%張國義
왕환%요숙덕%반요파%장국의
AlInGaN%高分辨X射线衍射%卢瑟福背散射/沟道%弹性应变
AlInGaN%高分辨X射線衍射%盧瑟福揹散射/溝道%彈性應變
AlInGaN%고분변X사선연사%로슬복배산사/구도%탄성응변
利用卢瑟福背散射/沟道技术对在蓝宝石衬底上用金属有机化学气相沉积方法生长的有GaN缓冲层(＞2 μm)的一系列不同Al和In含量的AlInGaN薄膜进行组分及结晶品质的测量;并结合高分辨X射线衍射技术,通过对AlInGaN的对称(0002)面,及非对称(10-15)面的θ-2θ扫描及倒空间扫描,可以精确测定AlInGaN外延层的晶格常数及水平和垂直方向的应变.实验结果表明AlInGaN薄膜中不同含量Al和In对其应变有较大的影响,结合Vegard定理,对这一现象给出了理论的解释.
利用盧瑟福揹散射/溝道技術對在藍寶石襯底上用金屬有機化學氣相沉積方法生長的有GaN緩遲層(＞2 μm)的一繫列不同Al和In含量的AlInGaN薄膜進行組分及結晶品質的測量;併結閤高分辨X射線衍射技術,通過對AlInGaN的對稱(0002)麵,及非對稱(10-15)麵的θ-2θ掃描及倒空間掃描,可以精確測定AlInGaN外延層的晶格常數及水平和垂直方嚮的應變.實驗結果錶明AlInGaN薄膜中不同含量Al和In對其應變有較大的影響,結閤Vegard定理,對這一現象給齣瞭理論的解釋.
이용로슬복배산사/구도기술대재람보석츤저상용금속유궤화학기상침적방법생장적유GaN완충층(＞2 μm)적일계렬불동Al화In함량적AlInGaN박막진행조분급결정품질적측량;병결합고분변X사선연사기술,통과대AlInGaN적대칭(0002)면,급비대칭(10-15)면적θ-2θ소묘급도공간소묘,가이정학측정AlInGaN외연층적정격상수급수평화수직방향적응변.실험결과표명AlInGaN박막중불동함량Al화In대기응변유교대적영향,결합Vegard정리,대저일현상급출료이론적해석.
